無論內(nèi)存也好，顯存也好，其實都是由數(shù)量龐大的集成電路組合而成，只不過這些電路，都是需要最后打包完成，這類將集成電路打包的技術就是所謂的封裝技術，我們先來看看常見的兩種封裝方式：

TSOP封裝技術

TSOP的全名為“Thin Small Outline Package”，即“薄型小尺寸封裝”，它在封裝芯片的周圍做出引腳，TSOP適合用SMT技術在PCB板上安裝布線。TSOP封裝，寄生參數(shù)減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高，是比較成熟的一種封裝技術，目前常用于低端產(chǎn)品。

BGA封裝技術

BGA全名為“Ball Grid Array Package”，即“球柵陣列封裝”，與TSOP相比，BGA封裝具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能，可以使每平方英寸的存儲量有了很大提升，采用BGA封裝技術的內(nèi)存產(chǎn)品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一;另外，與傳統(tǒng)TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。是比較先進的一種封裝形式，當然，價格也比TSOP封裝的要貴，是目前市場上的主流產(chǎn)品。

GDDR1顯存

常見的GDDR1顯存，一般分為TSOP封裝和BGA封裝。TSOP封裝DDR內(nèi)存價格低廉，廣泛應用在MX4000、FX5200、Radeon9200/9250、9550和6200A這些入門級別顯卡上，一般頻率可達600MHz(TSOP)或900 MHz(mBGA)。

圖1

TSOP封裝的GDDR1顯存顆粒(5ns運行頻率400MHz)

圖2

MBGA封裝的GDDR1顯存顆粒(2.8ns運行頻率700MHz)

GDDR2顯存

GDDR2的真正翻身出現(xiàn)在2005年Q2，GDDR2以全新的x16bit規(guī)格和我們見面，更低的工作的電壓和更大的單顆容量使得GDDR2迅速火熱，但其工作頻率并沒有大幅提高，一般在800-1000MHz左右。

圖3

MBGA封裝的GDDR2顯存顆粒(2.5ns運行頻率800MHz)

GDDR3顯存

GDDR3的賣點在于電器性能，GDDR3工作電壓要低于GDDR2，在相同工作頻率下比起前代內(nèi)存更為省電，并且擁有更大的單顆容量，。GDDR3低功耗、高頻率和單顆容量大這三大優(yōu)點，使得GDDR3成為目前市場上的主流。一般運行頻率為900-1800MHz。

圖4

MBGA封裝的GDDR3顯存顆粒(1.2ns運行頻率1600MHz)

GDDR4顯存

為了更高的頻率，GDDR4應運而生，并被采用在一些旗艦產(chǎn)品中，如ATI的X1950XT，HD 2900XT等，高達2000MHz以上的頻率帶來了巨大的帶寬，以滿足今后一段時間顯卡的需求，不過現(xiàn)在看來成本依然相當昂貴。

圖5

MBGA封裝的GDDR4顯存顆粒(0.8ns運行頻率可達2500MHz)