Q：我買了一條金士頓的內(nèi)存條，DDR3 4GB的內(nèi)存，內(nèi)存上面的顆粒怎么是現(xiàn)代的內(nèi)存顆粒?和我機器上的另外一條金士頓不一樣，另外的一條金士頓內(nèi)存是爾必達(dá)的顆粒。

A： 基本上沒有什么問題的，現(xiàn)代內(nèi)存多見于品牌機里面，金士頓使用的不同的顆粒生產(chǎn)內(nèi)存這個沒什么關(guān)系，不同批次采購不同的顆粒而已，整體的設(shè)計規(guī)格是一樣的。現(xiàn)代內(nèi)存顆粒和爾必達(dá)(爾必達(dá)最近已經(jīng)申請了破產(chǎn)保護(hù)，內(nèi)存商采購顆粒肯定不止一家的哦，只要保證正品即可)內(nèi)存顆粒都是非常好的內(nèi)存顆粒，金士頓的內(nèi)存條假貨多，只要根據(jù)一些常規(guī)的防偽手段檢驗沒問題就基本差不多了。

現(xiàn)代內(nèi)存顆粒的編號也是由四段字母或數(shù)字組成，具體分布請看下圖。A、B四部分的含義與三星內(nèi)存顆粒編號的含義相同，分別表示該內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)企業(yè)及生產(chǎn)日期。C、D部分所包含的內(nèi)容主要是指內(nèi)存的相關(guān)規(guī)格。接下來我們就詳細(xì)分解。

A部分不用多說，鐵定都是Hynix的LOGO。

B部分是生產(chǎn)日期，由三個數(shù)字和一個字母組成，和三星內(nèi)存顆粒的編號一樣，第一個數(shù)字表示生產(chǎn)年份，后兩位數(shù)字表示在該年的第XX周生產(chǎn)。最后的字母，由于在官方文件中沒有解釋，筆者也未弄明白。

C部分也是表示該內(nèi)存顆粒的頻率、延遲參數(shù)。由1-3位字母和數(shù)字共同組成。根據(jù)頻率、延遲參數(shù)不同，分別用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8個字母/數(shù)字組合來表示。

其中：

“D5”代表DDR500(250MHz)，延遲為3-4-4;

“D43”代表DDR433(216MHz)，延遲為3-3-3;

“D4”代表DDR400(200MHz)，延遲為3-4-4;

“J”代表DDR333(166MHz)，延遲為2.5-3-3;

“M”代表DDR266(133MHz)，延遲為2-2-2;

“K”代表DDR266A(133MHz)，延遲為2-3-3;

“H”代表DDR266B(133MHz)，延遲為2.5-3-3;

“L”代表DDR200(100MHz)，延遲為2-2-2。

補充：緊接這C部分的數(shù)字后面，實際上還有一個編號，只是這個編號一般并沒有被標(biāo)示出來。他用來表示內(nèi)存顆粒的工作溫度和應(yīng)用等級。用“Bank、I、E”來表示不同的工作溫度和應(yīng)用等級，其中：

“Blank”代表商業(yè)型，工作溫度在0 °C~70 °C之間;

“E”代表增強型，工作溫度在-25°C~85 °C之間;

“I”代表工業(yè)型，工作溫度在-40°C~85 °C之間。

總結(jié):

1. HY代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。

2. 內(nèi)存芯片類型：(5D=DDR SDRAM)

3. 處理工藝及供電：(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

4. 芯片容量密度和刷新速度：(64：64M 4K刷新;66：64M 2K刷新;28：128M 4K刷新;56：256M 8K刷新;57：256M 4K刷新;12：512M 8K刷新;1G：1G 8K刷新)

5. 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)：(4=4顆芯片;8=8顆芯片;16=16顆芯片;32=32顆芯片)

6. 內(nèi)存bank(儲蓄位)：(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)

7. 接口類型：(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)

8. 內(nèi)核代號：(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)

9. 能源消耗：(空白=普通;L=低功耗型)

10. 封裝類型：(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))

11. 封裝堆棧：(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))

12. 封裝原料：(空白=普通;P=鉛;H=鹵素;R=鉛+鹵素)

13. 速度：(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)

14. 工作溫度：(I=工業(yè)常溫(-40 - 85度);E=擴(kuò)展溫度(-25 - 85度))