之前看過這篇文章，感覺對超頻的兄弟非常實用，只可惜從《微型計算機》上面及其他的途徑無法找到轉(zhuǎn)貼，再加上本人空閑時間并不充足，7雪于是乎開始了漫長的碼字，功夫不負有心人，終究排列出這樣一張貼子。敬請各位XDJM們找一本《微型計算機》半月刊看看原文，見07年第一期《頻率、時序都不可忽略→DDR2內(nèi)存超頻私家秘笈》(作者陳濱)

DDRⅡ內(nèi)存取代DDR內(nèi)存已成定局，除了一般用戶都向DDRⅡ看齊外，不少熱衷于超頻的玩家也將目光轉(zhuǎn)向了DDRⅡ平臺，但是面對當前規(guī)格眾多、品牌復雜的DDRⅡ內(nèi)存品牌，究間要如何選擇才能找到“完美”的極品內(nèi)存?如何才能讓這樣的極品內(nèi)存發(fā)揮出最大潛力?下面就讓我們一起來體驗DDRⅡ平臺的急速超頻之旅。

找尋急速DDRⅡ內(nèi)存顆粒

仔細觀察內(nèi)存條一般都能見到上面的顆粒編號(有散熱版需拆開才能看到)，上面印刷的幾排數(shù)字+字母組合就是我們選擇的關鍵依據(jù)，但面對各個品牌顆粒繁雜的含義您不必頭暈，其實選擇超頻質(zhì)量好的顆粒只要解讀最關鍵的一個編碼——顆粒代號，現(xiàn)將一些常見品質(zhì)較好的DDRⅡ內(nèi)存顆粒及識別編碼歸納如下：

海力士(Hynix)，常用于創(chuàng)見、威剛、超勝三大品牌產(chǎn)品之中。常見顆粒代號C4(533-4-4-4)、C5(533-5-5-5)、Y5(667-5-5-5)、S5(800-5-5-5)、S6(800-6-6-6)，顆粒代號位置第12、13位，超步能力評價為較好。

三星(Samsung)，常見于金士頓、創(chuàng)見、宇瞻三大品牌產(chǎn)品之中。常見顆粒代號D5(533-4-4-4)、E6(667-5-5-5)、E7(800-5-5-5)，顆粒代號位置為倒數(shù)第4、5位，超頻能力強。

英飛凌(Infineon)，常見于金士頓、宇瞻二大品牌產(chǎn)品之中。常見顆粒代號3.7(533-4-4-4)、3(667-4-4-4)，最后2位是其代號位置，超頻能力較好。

美光(Micron)，多見于海盜船、金邦、金士頓、黑金剛等超頻內(nèi)存產(chǎn)品之中，常見顆粒代號FBGA D9、D9GKX、D9GHM、D9DCN，超能力強。

爾必達(Elpida)，Kingmax、金邦、威剛、黑金剛等品牌產(chǎn)品中容易看到，常見顆粒代號5C(533-4-4-4)、6E(667-5-5-5)、GE(800-5-5-5)，顆粒代號位置是倒數(shù)2、3位，超頻能力較好。

由此可以看出，除美光外其他顆粒品牌均能找到符合規(guī)律的編號，因此對于美光顆粒的識別需從另外角度來識別。美光超頻性能特別優(yōu)異的幾款顆粒：最早的“Fatboy D9”的大D9顆粒(即FBGA D9)，再到隨后的D9GKX、D9GHM、D9DCN等小D9顆粒等，其中五位編號特征均含有“D9”，所以也被稱為“D9”顆粒，我們辨別的主要依據(jù)這個特點來進行。

眾所周知，內(nèi)存的超頻能力除了和內(nèi)存顆粒有莫大關系外，也和內(nèi)存PCB及電氣設計等多個方面有緊密聯(lián)系。陳濱認為，玩家口中的極品內(nèi)存都有以下幾個特點：

1.品質(zhì)優(yōu)秀的顆粒——高頻率、低延遲無疑是對極品顆粒的完美追求，但要實現(xiàn)此目標很大程度上取決于顆粒的體質(zhì)，因此選購優(yōu)質(zhì)顆粒的內(nèi)存可以為內(nèi)存的急速狂飆帶來更大空間。

2.良好的做工——優(yōu)質(zhì)的PCB板、基板的良好布線設計以及漂亮的焊接等工藝不僅給內(nèi)存的穩(wěn)定工作帶來保證，也為內(nèi)存性能的充分發(fā)揮提供保障。

3.品牌檔次——不論原廠還是貼牌品牌，都對其產(chǎn)品進行了檔次劃分。而各品牌的高檔次型號內(nèi)存不僅會精以挑選極品顆粒，并且還具備優(yōu)秀的電氣性能和一流的做工。陳濱在此將針對不同應用的常見內(nèi)存品牌和型號大致作出總結。　　陳濱大俠的個人意見是：①辦公、家用(DDRⅡ667/533)建議考慮金士頓、創(chuàng)見、金邦、威剛(萬紫千紅系列)、黑金剛、金泰克(速虎系列);②游戲超頻(DDRⅡ800/667)推薦考慮黑金剛(悍將系列)、英飛凌、金士頓(Hyper-X系列)、海盜船(XMS系列)、威剛(紅色威龍系列)、宇瞻(爾必達顆粒)、Kingmax(爾必達顆粒)、金邦(800Ultra)、金泰克(磐虎系列)。

急速DDRⅡ平臺搭建

在選擇了體質(zhì)優(yōu)秀的內(nèi)存后，還需要搭配一個好的平臺才使其性能得到最大發(fā)揮。我們知道，AMD平臺由于處理器集成內(nèi)存控制器技術的特點讓極品DDRⅡ內(nèi)存能更好地發(fā)揮威力，而Intel平臺在內(nèi)存的升級性和靈活性等方面具有優(yōu)勢，但需注意主板平臺的挑選——能支持的高規(guī)格內(nèi)存、超頻設計優(yōu)秀的主板才能充分發(fā)揮出Intel平臺下內(nèi)存的急速性能。

主板芯片組產(chǎn)品線從來都是紛繁復雜，各個時代的平臺芯片組都曾誕生過無數(shù)經(jīng)典產(chǎn)品，面對如今新的DDRⅡ平臺，誰又是笑傲沙場的悍將?我們來稍做點評。

Intel P4/PD平臺

從內(nèi)存帶寬來看，前端總線(FSB)為800MHz的P4/PD平臺要搭配雙通道DDR400以上即可達到要求，而在如今的DDRⅡ平臺下，只需要雙通道DDRⅡ533就能輕松滿足帶寬。故其在芯片組選擇上比較靈活——各廠商的DDRⅡ平臺芯片組均能成為理想搭配。在超頻性能方面考慮主要取決于主板的超頻設計，其中尤其以Intel 955X以及nVIDIA的nForce4 IE(C19)最受推祟。比如華碩P5WD2 Premium各P5ND2-SLi一直以來是這兩款芯片組絕佳超頻性的經(jīng)典代表，多次打破并保持曾經(jīng)的世界超頻記錄!

Intel Core 2 Duo平臺

雖然很多老Intel芯片組都號稱支持Core 2 Duo處理器，但無論在搭配還是內(nèi)存帶寬要求上都無法完美配合。因此Core 2 Duo的最佳搭配芯片組除了Intel自家的965/975系列外，就只剩下nVIDIA的nForce 680 SLi芯片組了。這些芯片組不僅能夠支持1066MHz的FSB頻率(而680 SLi能支持更高規(guī)格的1333MHz)各雙通道DDRⅡ800來滿足Core 2 Duo的帶寬要求(實際上Conroe核心的處理器在默認頻率下只需要DDRⅡ533即可滿足其數(shù)據(jù)帶寬要求)，也圓了超頻時采用同步內(nèi)存頻率的夢想。但作為超頻考慮需要注意，目前nForce 680 SLi尚未大量鋪貨，而Intel 965/975芯片組中有只有高端主板才具備優(yōu)良的超頻性能。比如技嘉的GA-965P-DQ6就給人留下了深刻印象——能夠?qū)ntel Core 2 Duo E6300在主頻及外頻上均翻了一番!

AMD AM2平臺

新的DDRⅡ平臺下，我們不僅能選擇nVIDIA的nForce5，也能讓改進支持AM2及DDRⅡ的nForce4發(fā)揮余熱。另外，由于AMD的內(nèi)存控制集成方案使得內(nèi)存搭配需與CPU一起考慮，比如940針的閃龍/速龍支持雙通道DDRⅡ667，相應內(nèi)存搭配也最好為DDRⅡ667。在超頻性方面，nF4/nF5以及K8T890普遍都具備不錯的素質(zhì)，就算購買500元以內(nèi)的低端主板也能享受到不少的超頻驚喜，這一點大家應該能得到深刻滴體會。而說到站在AM2平臺巔峰的主板，就不能不提鉆石(DFI)的LanParty系列和華碩的M2-Crosshair系列，相信這些頂級主板都是每個AMD骨灰級Fans的夢想。

急速DDRⅡ超頻設置

面對DDRⅡ平臺，那么應該如何設置才能享受到內(nèi)存急速飛飚的快感呢?答案無疑是超頻!關于超頻的文章數(shù)不勝數(shù)，在此不再贅述。我們重點來討論一下DDRⅡ平臺下要發(fā)揮出系統(tǒng)及內(nèi)存性能極限而需要注意的概念和設置。

內(nèi)存超頻目標——頻率與時序

Intel由于采用外部內(nèi)存控制結構使得芯片組對內(nèi)存時序的敏感程度大為降低，因此頻率才是提升性能的最有效途徑，而時序在Intel的DDRⅡ平臺中的地位變得次要;而AM2平臺由于采用內(nèi)部控制器，對時序相對敏感，但前提是在頻率得以提升的情況下再考慮時序。另外，目前DDRⅡ內(nèi)存延時普遍較高，因此在AM2平臺下，內(nèi)存頻率帶寬的提高所帶來的性能提升可能還不如內(nèi)存延時所降低性能的影響，這也決定了AM2平臺只有搭配較高頻率且延遲較低的優(yōu)秀內(nèi)存才能體現(xiàn)出系統(tǒng)性能提升。

另外還需要注意的是，雖然對于兩大平臺來說頻率固然比時序重要，但首先考慮的是FSB對數(shù)據(jù)帶寬的需求，即在FSB不成為瓶頸的基礎上才能考慮到頻率的提升以及時序的優(yōu)化的取舍，以頻率的提升為重點，而當FSB頻率成為瓶頸時，則可優(yōu)先考慮優(yōu)化時序。

兩大平臺超頻思路及設置

Intel Core 2 Duo平臺

Intel平臺超頻首先得心優(yōu)秀超頻設計的主板為后盾，再以優(yōu)質(zhì)內(nèi)存(優(yōu)先考慮高頻內(nèi)存產(chǎn)品)為武器后才能充分發(fā)揮潛力，同時設置中需要注意以下幾個問題。

√內(nèi)存異步——優(yōu)先提升頻率

Intel平臺，無論是P4、PD還是Core 2 Duo，一切性能提升的關鍵首先取決于CPU頻率，根據(jù)實際測試來看，在CPU同頻率下，DDRⅡ800僅比DDRⅡ667系統(tǒng)提高3%至10%，因此超頻首要考慮提升CPU頻率，然后再通過異步設置降低內(nèi)存要求。如Core 2 Duo E6300(7X266MHz外頻=1862MHz)，當外頻被超到350MHz時，若內(nèi)存設置為同步，則內(nèi)存頻率也為350MHz(DDRⅡ700)，此時普通DDRⅡ533或667內(nèi)存則可能因無法工作而影響CPU頻率的進一步提升。但只要把內(nèi)存異步設置為5：4或者4：3后，內(nèi)存就能工作在280MHz(DDRⅡ560)或(DDRⅡ525)，即將原本DDRⅡ533的內(nèi)存設置為DDRⅡ400或者將原本DDRⅡ667的內(nèi)存設置為DDRⅡ533。

當要設置內(nèi)存異步時，在主板BIOS的“DRAM Frequency”選項(不同主板可能有不同設置選項，但意思相近)中，根據(jù)內(nèi)存的具體規(guī)格設置相應內(nèi)存頻率即可(DDRⅡ400至1067MHz可選)。但有些主板可能未明確標示出比率，而是以內(nèi)存頻率標示，那么可按此規(guī)律計算一下：如Core 2 Duo E6300默認為266MHz外頻，那么在此頂中選DDRⅡ400則為4：3，選DDRⅡ533就為1：1，DDRⅡ667即為4：5，DDRⅡ800為2：3……依此類推。

總之，超頻思路首先是通過異步方式降低內(nèi)存的影響來提升CPU頻率，這樣便不會因內(nèi)存品質(zhì)影響到CPU發(fā)揮。當把CPU頻率極限探知后，再靈活使用異步調(diào)整內(nèi)存頻率來沖擊內(nèi)存穩(wěn)定工作的最佳極限。

√雙通道組建

Core 2 Duo處理器的1066MHz前端總線頻率使得帶寬需求高達8.6GB/秒，已超過DDRⅡ800所提供的6.4GB/秒，因此組建雙通道對于Intel Core 2 Duo平臺而言是具有重要意義的。尤其是設置了異步內(nèi)存頻率超頻后，雙通道更能有效緩解帶寬瓶頸。

組建雙通道時也需要注意，此前Intel平臺一直對雙通道內(nèi)存的要求比較嚴格，兩根內(nèi)存條組雙難道時不僅要求容量相同，而且要求顆粒參數(shù)都要盡量一致才能保持穩(wěn)定工作。到了Intel 965/975芯片組，Intel正式提出了FMT技術來改善內(nèi)存兼容性，解決了這個麻煩問題。不過還是建議大家在組建雙通道的時候，還是盡可能使用同一品牌、相同容量和頻率、甚至顆粒參數(shù)都基本一致的產(chǎn)品。

√頻率大于時序

Intel的內(nèi)存控制方案使得數(shù)據(jù)交換需通過主板北橋芯片，這樣就給CPU訪問內(nèi)存帶來更高的延時，此先天因素決定了內(nèi)存時序的調(diào)節(jié)對整體性能的影響并不會太大。所以，對于Intel平臺的內(nèi)存調(diào)節(jié)我們要優(yōu)先考慮頻率，原則上只要大于超頻后CPU對帶寬的要求即可。如Core 2 Duo E6300，當外頻超到350MHz后，F(xiàn)SB頻率提升到1400MHz，其帶寬要求高達約11.3GB/秒，顯然，此時只有組建雙通道DDRⅡ800(12.8GB/秒)才能充分滿足其帶寬需求。

AMD平臺設置

陳濱個人認為，當前主流AMD平臺才上充分挖掘DDRⅡ潛力的好舞臺。大多數(shù)AM2主板(包括很多低端產(chǎn)品)都具備產(chǎn)錯的超頻素質(zhì)，這給了超頻Fans們一個良好的發(fā)揮平臺。另外由于CPU內(nèi)部內(nèi)存控制器的集成而使每一項內(nèi)存參數(shù)的優(yōu)化都可能給內(nèi)存性能增添一筆亮點!下面我們就來看一看怎樣才能充分發(fā)揮AMD平臺上的DDRⅡ性能潛力。

√同步超頻，極品顆粒試金石

由于AM2平臺CPU集成內(nèi)存控制器，因此AMD平臺只能通過同步內(nèi)存方式超頻來提升內(nèi)存潛能(當然也可以設置內(nèi)存異步選項，但會給系統(tǒng)造成不穩(wěn)定，值得注意!)，對內(nèi)存的要求提高了很多。比如當前AMD熱門的速龍64 X2 3800+(200MHzX10倍頻=2000MHz)，其內(nèi)部內(nèi)存控制器為DDRⅡ800，因此默認標配內(nèi)存的實際工作頻率為400MHz，一旦超頻后其對內(nèi)存頻率要求可謂之高!而目前市面上不少X2 3800+處理器都能超到250MHz以上，此時內(nèi)存頻率高達500MHz(DDR1000)以上!因此只有采用品質(zhì)優(yōu)秀的極品內(nèi)存才能發(fā)揮出系統(tǒng)的超頻潛能，這也讓AM2平臺成為極品內(nèi)存顆粒的試煉場(美光D9等極品顆粒也因此而受廣大AMD的粉絲所追捧)。

√內(nèi)存分頻需注意

當我們習慣性地把內(nèi)存頻率設置為DDRⅡ533、DDRⅡ667和DDRⅡ800模式后，你會發(fā)覺真實的內(nèi)存頻率并不以“內(nèi)存：CPU”的比例來實現(xiàn)，而是根據(jù)公式“內(nèi)存頻率=CPU÷分頻”來計算內(nèi)存頻率的，2G以下的速龍64(包括速龍64 X2系列)處理器的分頻方式如下：

①倍頻為10的處理器，內(nèi)存設置頻率為DDRⅡ400時實際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷10，DDRⅡ533為外頻X倍頻÷8，DDRⅡ667為外頻X倍頻÷6，DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5;

②倍頻為9的處理器，內(nèi)存設置頻率為DDRⅡ400時實際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷9，DDRⅡ533為外頻X倍頻÷7，DDRⅡ667為外頻X倍頻÷6，DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5;

③倍頻為8的處理器，內(nèi)存設置頻率為DDRⅡ400時實際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷8，DDRⅡ533為外頻X倍頻÷6，DDRⅡ667為外頻X倍頻÷5，DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5;

④倍頻為7的處理器，內(nèi)存設置頻率為DDRⅡ400時實際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷7，DDRⅡ533為外頻X倍頻÷6，DDRⅡ667為外頻X倍頻÷5，DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5。

要進行同步超頻設置時，只需在BIOS的內(nèi)存設置選項中將“DRAM Frequency”項根據(jù)CPU集成控制器的類型以及內(nèi)存的型號(最好是規(guī)格相同)選擇相應的頻率即可。如閃龍/速龍需選擇DDRⅡ667，速龍64 X2處理器則選擇DDRⅡ800，然后在CPU超頻項中逐步提高CPU頻率。但需要注意：此時CPU的頻率與內(nèi)存是同步提高的，因此需根據(jù)上述分頻公式計算出內(nèi)存實際頻率——例如X2 3800+超到250MHz外頻時，對照公式可算出內(nèi)存頻率為250MHzX10÷5=500MHz(即DDR1000)，以免因內(nèi)存體質(zhì)影響CPU發(fā)揮。

另外不少AM2主板也提供異步設置項(即在頻率中選擇不對應的規(guī)格內(nèi)存)，但實際使用中發(fā)現(xiàn)設置異步后系統(tǒng)無法長時間穩(wěn)定工作，并且會給超頻造成很大麻煩。

√頻率為前提，優(yōu)化時序參數(shù)

正是由于AMD雙核處理器先天的低延遲內(nèi)存控制機制使其對內(nèi)存參數(shù)的控制較敏感，從以往經(jīng)驗來判斷，速龍64平臺對內(nèi)存頻率及時序的優(yōu)化都有不錯的效果，那么究竟如何取舍高頻率和低延遲呢?

根據(jù)陳濱個人測試的結果來看，從DDRⅡ533到DDRⅡ800，每一檔次頻率的提升都能給系統(tǒng)帶來15%左右的性能提升。因此，AMD平臺下DDRⅡ內(nèi)存性能提升的思路應當首先以同步頻率提升為前提，然后再調(diào)節(jié)內(nèi)存在穩(wěn)定狀態(tài)下的最優(yōu)化時序參數(shù)，這點和Intel平臺下的頻率至上原則不太一樣。

√關于雙通道設置

由于AMD的HT總線速度對整體性能影響不大，因此AM2平臺(尤其是低端平臺)在雙通道的組建問題上相對于Intel平臺而言迫切性不是很大，但雙通道對于超頻后的速龍64 X2雙核平臺還是有積極意義的，畢竟雙核的多任務環(huán)境及超頻后對內(nèi)存的帶寬需求都將大幅增加。

寫在最后

坦白地講，對任何一個超頻愛好者來說，超頻內(nèi)存都是一把雙刃劍——好則大幅提升系統(tǒng)性能，反之則阻礙系統(tǒng)整體性能的提升。內(nèi)存顆粒品質(zhì)、內(nèi)存電路板布局與設計以及BIOS參數(shù)調(diào)節(jié)，這三者都對內(nèi)存超頻成績有著直接的影響。只要選擇口碑好的內(nèi)存顆粒與品牌，針對Intel與AMD不一樣的內(nèi)存控制方式設置適當超頻參數(shù)，相信大家能讓DDRⅡ內(nèi)存和整體性能攀上一個新的臺階!不過有一點仍然需要提醒大家，那就是內(nèi)存頻率、時序參數(shù)與CPU頻率的取舍問題。筆者認為，CPU的頻率提升帶來的整體系統(tǒng)性能上升要比內(nèi)存頻率提升或時序參數(shù)的優(yōu)化有更明顯的效果，因此我們的基本思路就是在極限CPU頻率之下來找尋內(nèi)存的最強工作狀態(tài)，這也是陳濱個人超頻內(nèi)存的基本思路。

本文中，陳濱個人以自身的些許經(jīng)驗為您登上DDRⅡ平臺急速列車打下了一定地基礎，那么在搭乘上DDRⅡ急速之旅這趟列車之后，剩下的就應該是讀者您親自去體驗啦～!