大家知道，內(nèi)存有個CAS(Column Address Strobe，列地址選通脈沖)延遲時間，內(nèi)存在存儲信息時就象一個大表格一樣，通過行(Column)和列(Row)來為所有存儲在內(nèi)存里的信息定位，CL就是指要多少個時鐘周期后才能找到相應(yīng)的位置。

    對于SDRAM而言一般有2和3兩個值選擇，而DDR內(nèi)存可分為2和2.5兩種。CAS值越小越好，也就是說DDR內(nèi)存值為2的產(chǎn)品性能要好于2.5的產(chǎn)品，如果你需要的是CAS值為2的產(chǎn)品，那么大家在選擇時要注意JS用2.5的產(chǎn)品做2的產(chǎn)品來賣給大家(可實(shí)際使用或用內(nèi)存測試軟件進(jìn)行測試)。