武林網(wǎng)訊 DDR2 的定義： DDR2（Double Data Rate 2）
SDRAM 是由 JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代 DDR 內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑?DDR2 內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代 DDR 內(nèi)存預(yù)讀 取能力（即：4bit 數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2 內(nèi)存每個時 鐘能夠以 4 倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制 總線 4 倍的速度運行。 此外，由于 DDR2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有 DDR2 內(nèi)存均采用 FBGA 封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II 封裝形式， FBGA 封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為 DDR2 內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)。
回想起 DDR 的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的 DDR200 經(jīng)過 DDR266、DDR333 到今天的雙通道 DDR400 技術(shù)，第一代 DDR 的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的 工作速度；隨著 Intel 最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存 帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的 DDR2 內(nèi) 存將是大勢所趨。
DDR2 與 DDR 的區(qū)別：
在了解 DDR2 內(nèi)存諸多新技術(shù)前，先讓我們看一組 DDR 和 DDR2 技術(shù)對比的數(shù)據(jù)。
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2 的實際工作頻 率是 DDR 的兩倍。這得益于 DDR2 內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn) DDR
內(nèi)存的 4BIT 預(yù)讀取能力。換句話說，雖然 DDR2 和 DDR 一樣， 都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉?nbsp;
式，但 DDR2 擁有兩倍于 DDR 的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。 也就是說，在同樣 100MHz 的工作頻率下，DDR 的實際頻率為
200MHz，而 DDR2 則可以達(dá)到 400MHz。
這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的 DDR 和 DDR2 內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時要慢于前者。舉例來說，DDR200
和 DDR2-400 具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400 和 DDR400 具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s ， 但 是 DDR400 的 核 心 工 作 頻 率 是 200MHz ， 而 DDR2-400 的核心工作頻率是 100MHz，也就是說 DDR2-400 的延遲要高于 DDR400。
2、封裝和發(fā)熱量：
DDR2 內(nèi)存技術(shù)最大的突破點其實不在于用戶們所認(rèn)為的兩 倍于 DDR 的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情 況下，DDR2 可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn) DDR 的 400MHZ 限制。
DDR 內(nèi)存通常采用 TSOP 芯片封裝形式，這種封裝形式可以 很好的工作在 200MHz 上，當(dāng)頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是 DDR 的核心頻率很難突破 275MHZ 的原因。而DDR2 內(nèi)存均采用 FBGA 封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP 封裝形式，F(xiàn)BGA 封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為 DDR2 內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。
DDR2 內(nèi)存采用 1.8V 電壓，相對于 DDR 標(biāo)準(zhǔn)的 2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一
點的變化是意義重大的。
DDR2 采用的新技術(shù)：
除了以上所說的區(qū)別外，DDR2 還引入了三項新的技術(shù)，它 們是 OCD、ODT 和 Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動調(diào)整，DDR II 通過 OCD 可以提高信號的完整性。DDRII 通過調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用 OCD 通過減少 DQ-DQS 的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質(zhì)。
ODT：ODT 是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道 使用 DDR，SDRAM 的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號 需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內(nèi)存模組對終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會在一定程度上影響信號品質(zhì)。DDR2 可以根據(jù)自已的特點內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用 DDR2 不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質(zhì)，這是 DDR 不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高 DDR II 內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在 PostCAS 操作中，CAS 信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS 信號后面的一個時鐘周期，CAS 命令可以在附加延遲 （Additive Latency）后面保持有效。原來的 tRCD（RAS 到CAS 和延遲）被 AL（Additive Latency）所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4 中進(jìn) 行設(shè)置。由于 CAS 信號放在了 RAS 信號后面一個時鐘周期，因此 ACT 和 CAS 信號永遠(yuǎn)也不會產(chǎn)生碰撞沖突。
總的來說，DDR2 采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR 的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。
