誤區一：帶散熱片的產品更能超頻  
　　配以散熱片的內存，更多的是起到了美化產品形象的作用，有的甚至可能成為內存的“遮羞布”，讓您看不到它所使用的芯片，要知道內存芯片才是決定超頻下限的基礎。比如一些名廠的產品，雖然并沒有帶上這層散熱片，但這樣的“低”規格內存就超過了很多帶有散熱片的高規格產品，就很能說明這個問題。所以在選購內存時，有沒有散熱片不是考慮因素，帶散熱片的產品不見得更能超頻。  
　　像金士頓、金邦、宇瞻、金泰克等品牌內存，每顆芯片都是廠家精挑細選后的優秀A級顆粒，發熱量小不說，同時在頻率方面也留有余地，即使它們不使用任何散熱手段，也能有良好的表現，散熱方面更不需要擔心。  
　　誤區二：單面內存和雙面內存在超頻方面一樣  
　　這個誤區可能大家有所疑惑，怎么會不一樣呢?這是因為單面內存比雙面內存在超頻方面更有先天優勢，這主要取決于芯片組的驅動負載能力。單面的內存大多為8顆芯片，如目前主流的512MB產品，雙面的為16顆芯片，如目前主流的1GB產品。這就意味著后者需要更大的驅動能力，雖然工作時會通過片選信號選中一個P-Bank工作，但不工作的P-Bank仍會增加地址與控制信號線的負載。  
　　所以，很明顯的就可看出，8顆芯片總是要比16顆芯片更容易驅動。此外，芯片的增多，也使PCB上的信號線數量將是前者的一倍，如果設計不良，產生相互干擾的機率也就大幅度增加，這也可能會影響超頻能力，不過這是相對次要的原因，就模組本身而言，超頻能力更多的取決于芯片。  
　　誤區三：相同芯片的不同品牌意味著超頻能力相同  
　　有人對這個誤區可能不理解，選用相同的顆粒，為什么超頻能力卻不同？其實對于不同品牌的兩款內存條雖然采用了相同的芯片，但它們在超頻性能上是存有差異的，可主要取決于產品的PCB設計及選用顆粒的品質。現市面上超頻較好的顆粒多見現代、三星、英飛凌等，但這些顆粒即使是相同編號它們也是分等級的，這其中品質優秀的留給自己的原裝內存，或者是關系較好的幾家內存廠家。對于關系一般的廠家采購到的顆粒，就有可能是品質稍遜一些了，所以，即使采用相同芯片，但品牌不同，那么超頻能力也不盡相同。  
　　誤區四：CSP封裝的芯片意味著好超頻  
　　相對來說，CSP封裝的內存，在技術上較TSOP-II更為先進，但卻與最終內存性能的關系不太大。采用CSP封裝芯片的內存，在超頻方面和內存優化方面不一定就比傳統的TSOP-II芯片模組強。所以大家不要過分迷信CSP封裝，它本身雖然可以達到比TSOP-II更高的頻率，但對外圍電路的要求和電氣環境的變化也比較苛刻。采用TSOP-II封裝的內存，超頻能力比CSP封裝更強的情況更為普遍，所以CSP封裝的芯片不意味著好超頻。  
　　誤區五：規格高的內存在優化能力上比規格低的內存強  
　　從理論上講，DDR500要比DDR400規格高速度要快，而實際上卻并不絕對。因為有很多高規格的內存都是靠犧牲時序優化能力來換取。像DDR500的內存條雖然標稱頻率更高，但并不能表示它在DDR400下具有更好的優化能力。原因很簡單，DDR500所使用的芯片有可能和普通DDR400的芯片是一樣的，在時序優化能力方面并不占優，而能達到DDR500更多的是通過放寬時序要求來達到的。所以，規格高的內存在優化能力上不見得比規格低的內存強。因此，玩家在選購內存時一定要注意這一點，這也體現了兩種不同的選購傾向，是想得到最佳的DDR500性能還是最高的工作頻率。  
　　誤區六：產品參數設置最大就好超頻  
　　這個問題我們可以通過事實說話，以DDR400內存為例，當用3-4-4超不上去時，就應換用By SPD的方法進行超頻。有些默認CL=2.5的產品，By SPD反而會比3-4-4好超，但有些則不是，默認CL=3的產品，By SPD與3-4-4都差不多，可能會有1、2MHz的區別。估計這應該是芯片所體現出來的差異。CL是一個唯一在內存初始化時寫入芯片內模式寄存的參數(tRCD、tRP只需北橋控制即可)，所以它的值與芯片本身固有的可調整范圍就需要匹配，如果芯片本身的局限性較大，那么調高CL值反而會造成內存子系統的不穩定而導致不能開機。所以，3-4-4雖然是一個超頻時常用的設置，但如果遇到一點也不能超時，建議改用By SPD試一試，可能會有驚喜。所以，有些產品參數設置最大可不見得就好超頻