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走出內存超頻的六大誤區

2020-06-28 14:00:11
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來源:轉載
供稿:網友

對于 DIY 玩家而言,超頻的最高境界就是將每一樣配件都超到盡頭!所以,現在除了對處理器、顯示卡進行超頻之外,插在主板上的內存也照超不誤。但超頻能否成功,效果如何,還得取決與超頻的方式與方法。筆者觀察到不少游戲玩家在對內存超頻的過程中存在不少誤區,這些不正確的做法導致的后果是輕則影響機器性能,嚴重的則會危及硬件的壽命,因此決不可掉以輕心。下面就為大家分析內存超頻最常見的六個誤區,并改正之!

  誤區一:相同芯片的不同品牌不意味著超頻能力相同

  有時候兩款內存條(不同品牌)雖然采用了相同的芯片,但超頻性能上體現出了不小的差異。這可能與產品的PCB設計及選用顆粒的品質不同有一定的關系,像大家知道的許多內存品牌都采用韓國三星電子提供的顆粒,但這些顆粒(相同編號)也是分等級的,三星會把當中品質最優秀的留給自己的原裝內存,或者是關系最好的幾家內存廠家。其余關系一般的,或者規模較小的廠家,采購到的顆粒,就有可能是品質次一點的。這一點在其他產品上也可能會出現,所以,芯片固然重要,但它可能只決定了可超頻的下限,上限則會因廠商而異。

三星金條為韓國三星電子的原廠原裝內存,產品全部選用A級極品顆粒。

  誤區二:CSP封裝的芯片不意味著好超頻

  雖然CSP封裝在技術上更為先進,但卻與最終內存性能的關系不大。采用CSP封裝芯片的內存,在超頻方面和內存優化方面不一定就比傳統的TSOP-II芯片模組強,大家不要過分迷信CSP封裝,它本身雖然可以達到比TSOP-II更高的頻率,但對外圍電路的要求和電氣環境的變化也更苛刻了。采用TSOP封裝的內存,超頻能力比CSP封裝更強的情況更為普遍。

  誤區三:帶散熱片的產品不見得更能超頻

  其實,筆者一直懷疑在內存上安裝散熱片的必要性。就目前來看,散熱片更多的是起到了美化產品形象的作用。三星金條的低規格產品甚至超過了很多帶有散熱片的高規格產品就很能說明問題。所以在選購時,有沒有散熱片并不是考慮因素(連次要因素都排不上),而且有時這種散熱片可能還會起到廠商的“遮羞布”的作用,讓人看不到所使用的芯片,要知道內存芯片才是決定超頻下限的基礎。

像三星金條等品牌內存,每顆芯片都是經過精挑細選的優秀型號,發熱量很少,而且在頻率方面留有余地,即使作適當超頻也不會有任何問題,散熱方面根本不需要擔心。即使不使用任何散熱手段,三星金條內存也能有良好的表現。

  誤區四:單面內存比雙面內存在超頻方面更有先天優勢

  這一點不難理解,這種現象主要取決于芯片組的驅動負載能力。單面的內存大多為8顆芯片,如目前主流的512MB產品,雙面的為16顆芯片,如目前主流的1GB產品。這就意味著后者需要更大的驅動能力(雖然工作時會通過片選信號選中一個P-Bank工作,但不工作的P-Bank仍會增加地址與控制信號線的負載)。顯然,8顆芯片總是要比16顆芯片更容易驅動。另外,芯片的增多,也使PCB上的信號線數量將是前者的一倍,如果設計不良,產生相互干擾的機率也就大幅度增加,這也可能會影響超頻能力,不過這是相對次要的原因,就模組本身而言,超頻能力更多的取決于芯片。

理論上DDR-500比DDR-466要快,但我告訴你實際上并不絕對。因為有很多高規格的內存都是靠犧牲時序優化能力來換取的。像DDR-500的內存條雖然標稱頻率更高,但并不能表示其在DDR-400下具有更好的優化能力。原因很簡單,DDR-500所使用的芯片有可能和普通DDR-400的芯片是一樣的,在時序優化能力方面并不占優,而能達到DDR-500更多的是通過放寬時序要求來達到的。這種做法對用戶的意義不大,但廠家們卻非常喜歡,拿同樣的產品賣更高的價錢,何樂而不為呢,呵呵!另一方面,有些內存雖然能在DDR-400下以最快的時序工作,但這并不意味著它也很能超頻。反過來,某個內存特別能超頻,但也不代表它能在DDR-400下達到最快的時序,這兩者之間不存在正比例關系。因此,大家一定要注意這一點,這也體現了兩種不同的選購傾向,是想得到最佳的DDR-400性能還是最高的工作頻率,只能二選其一。

使用三星ZCD5顆粒的三星金條DDR2-533內存在不加電壓超頻情況下,能夠以4-4-4-X的時序穩定工作在DDR2-667模式,更具備挑戰DDR2-900的實力。

常見的三星GCCC和GCD5顆粒大都具備在5-5-5-15參數下超頻至DDR2-800以上水平。

  誤區六:有些產品參數設置最大不見得就好超頻

  以DDR400內存為例,當用3-4-4超不上去時,就應換用By SPD的方法進行超頻。有些默認CL=2.5的產品,By SPD反而會比3-4-4好超,但有些則不是,默認CL=3的產品,By SPD與3-4-4都差不多,可能會有1、2MHz的區別。筆者估計這應該是芯片所體現出來的差異。CL是一個唯一在內存初始化時寫入芯片內模式寄存的參數(tRCD、tRP只需北橋控制即可),所以它的值與芯片本身固有的可調整范圍就需要匹配,如果芯片本身的局限性較大,那么調高CL值反而會造成內存子系統的不穩定 

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