提到改善內(nèi)存性能，大家首先想到的可能是增加內(nèi)存容量、對內(nèi)存進行超頻，部分硬件玩家還會想到通過優(yōu)化內(nèi)存參數(shù)改善內(nèi)存性能。不過目前大部分用戶對于內(nèi)存參數(shù)的定義和實際影響并不太了解，針對這一問題，筆者在本文中講重點為大家介紹內(nèi)存參數(shù)的含義，同時通過實際測試讓大家了解內(nèi)存參數(shù)對內(nèi)存性能的影響，以及優(yōu)化參數(shù)設(shè)置時的一些注意事項和技巧。 

　　目前主流主板BIOS中常見的內(nèi)存參數(shù)設(shè)置選項主要有以下幾種：CAS Latency Control（tCL）、RAS to CAS Delay（tRCD）、Row Precharge Timing （tRP）、Min RAS Active Timing（tRAS），部分主板還提供了Command Per Clock（CMD）選項。除了上述常見參數(shù)設(shè)置外，大部分主板的BIOS中還提供了內(nèi)存高級參數(shù)設(shè)置，這些參數(shù)包括：Row to Row Delay（或RAS to RAS delay，tRRD）、Row Cycle Time（tRC）、Write Recovery Time（tWR）、Write to Read Delay（tWTR）、Refresh Period（tREF）等。需要提醒大家的是，不同主板廠商、不同品牌的BIOS在參數(shù)名稱上可能存在一定差異，但是對應(yīng)的縮寫基本都是統(tǒng)一的。所以大家不用可以去記下參數(shù)的詳細(xì)名稱，只要記住對應(yīng)的縮寫就可以了。

　　究竟這些參數(shù)的改變對內(nèi)存的幫助有多大，而在超頻的時候，究竟采用哪個參數(shù)呢？相信就是高手也不能立刻回答這些問題。為了讓喜歡玩內(nèi)存的朋友更加深入了解這些參數(shù)設(shè)置，我們就用評測數(shù)據(jù)來解開內(nèi)存設(shè)置之謎。如果你自認(rèn)是高手，那么以下的文章內(nèi)容，你能不看嗎？

　　經(jīng)過52硬件的測試和分析，我們可以對影響DDR2內(nèi)存的諸多因素進行一個簡單的小結(jié)——在所有因素中，工作頻率對于DDR2內(nèi)存影響最為突出。用戶比較關(guān)心的內(nèi)存時序、CMD等參數(shù)對于內(nèi)存性能也有一定影響，但與頻率變化相比影響要小一些。所以，對于追求內(nèi)存性能的用戶而言，大家應(yīng)該把提升內(nèi)存頻率放在首位。找到一個相對合適的超頻頻率后，再通過調(diào)整內(nèi)存參數(shù)對內(nèi)存性能進行進一步的優(yōu)化。

　　具體到內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)，通過此前的測試中我們可以看到調(diào)節(jié)時序參數(shù)可以在一定程度上提升內(nèi)存性能，但提升幅度只有1%-2%。在實際調(diào)節(jié)過程中，大家可以先將tCL、tRCD、tRP、tRAS幾大參數(shù)設(shè)定為較低的數(shù)值，如果內(nèi)存出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況，我們再逐漸增加以上幾項參數(shù)的延遲設(shè)置。考慮到tCL參數(shù)對內(nèi)存性能影響較大，建議先增加tRCD、tRP、tRAS，最后再增加tCL參數(shù)延時。

　　對于大家比較關(guān)心的1T/2T設(shè)置，它對性能的影響要比時序參數(shù)明顯一些，測試中內(nèi)存在1T設(shè)置下性能有1%-3%左右的提升。不過在采用1T設(shè)置后，內(nèi)存的穩(wěn)定性大幅降低，超頻幅度也受到明顯制約。綜合考慮，筆者認(rèn)為追求性能的玩家可以嘗試使用1T設(shè)置，但這必須是以不影響內(nèi)存穩(wěn)定性和超頻空間為前提的。如果用戶盲目追求使用1T設(shè)置而影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性和內(nèi)存的超頻能力，這種做法顯然得不償失。至于普通用戶，筆者認(rèn)為最好不要去更改內(nèi)存的1T/2T設(shè)置。

　　總而言之，如果用戶希望獲得更好的內(nèi)存性能，那么最有效的辦法的就是適當(dāng)提升內(nèi)存頻率，這樣內(nèi)存的性能提升也是最為顯著的。在對內(nèi)存進行超頻后，如果大家還希望進一步優(yōu)化內(nèi)存性能，那么可以適當(dāng)降低tCL、tRCD、tRP、tRAS以及CMD參數(shù)設(shè)置。不過在降低參數(shù)延遲的過程中如果內(nèi)存出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況，那么大家就應(yīng)該逐步增加參數(shù)延遲（特別是CMD參數(shù)），這樣才能兼顧性能和穩(wěn)定性。最后，筆者為大家總結(jié)了內(nèi)存性能優(yōu)化的操作流程（如下所示），希望這些流程能夠幫助大家充分挖掘內(nèi)存的性能：

 在默認(rèn)參數(shù)下對內(nèi)存進行超頻，確定內(nèi)存能夠穩(wěn)定工作的超頻頻率，其間可適當(dāng)增加內(nèi)存電壓，但為了安全起見最好不要超過2.1V。（如果用戶不打算對內(nèi)存進行超頻，只是想通過優(yōu)化參數(shù)獲得更好的性能，可直接跳至第二步）。

　　1：將內(nèi)存延時設(shè)置在較低的水平，比如DDR2-800內(nèi)存可以設(shè)定為4-4-4-10，更高頻率內(nèi)存可以設(shè)定為5-5-5-15。同時將CMD參數(shù)設(shè)置為1T，并利用測試軟件檢查內(nèi)存是否能夠穩(wěn)定工作。

　　2：假如降低參數(shù)延遲后內(nèi)存出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況，建議首先將CMD參數(shù)調(diào)整為AUTO或2T，再使用軟件檢測內(nèi)存的穩(wěn)定性。

　　3：如果內(nèi)存在2T或AUTO模式下仍然無法工作，用戶可將逐步提高tCL、tRCD、tRP、tRAS參數(shù)的延時設(shè)置。

　　4：對于tCL參數(shù)對內(nèi)存性能影響較大，大家可以先增加tRCD、tRP、tRAS參數(shù)的延遲，最后再增加tCL參數(shù)延遲，直至內(nèi)存能夠穩(wěn)定工作為止