(1)內(nèi)存故障的判斷處理：
內(nèi)存故障雖多種多樣且嚴(yán)重時(shí)也會(huì)使電腦不能啟動(dòng)，但與電源、CPU故障引起不能啟動(dòng)的故障現(xiàn)象不同，在一般情況下它會(huì)用報(bào)警聲來提示。引起內(nèi)存報(bào)警的主要原因有：內(nèi)存芯片損壞、主板內(nèi)存插槽損壞、主板的內(nèi)存供電或相關(guān)電路存在故障，以及內(nèi)存與插槽接觸不良等。遇到此類故障一般用“替換法”就可很快確定故障部位。從上述故障原因中我們可以看出，引發(fā)故障的原因比較單純，故處理起來也比較簡單，可采用先除塵后用橡皮擦拭金手指等辦法即可予以排除。如果確系內(nèi)存芯片損壞的話，也就只有更換內(nèi)存條了。
(2)用兩條以上內(nèi)存遇到的故障：
有的時(shí)候，當(dāng)系統(tǒng)安裝兩條以上內(nèi)存時(shí)，會(huì)出現(xiàn)容量不但不增加，卻反而減少的現(xiàn)象，主要原因是由于內(nèi)存與主板的物理“Bank”支持?jǐn)?shù)量不匹配而造成的。當(dāng)主板擁有4個(gè)內(nèi)存插槽且全部插滿的時(shí)候，出現(xiàn)故障的概率則會(huì)更高一些。并且，主板所支持的Bank數(shù)量與采用的芯片組有著直接的聯(lián)系。故在升級(jí)內(nèi)存時(shí)大家必須注意：并不是說主板具有4個(gè)內(nèi)存插槽，就可以支持4條內(nèi)存，還需查看內(nèi)存的“Bank”數(shù)與主板支持的物理“Bank”數(shù)是否匹配。另一方面，除了為支持雙通道而采用兩條內(nèi)存之外，建議大家還是使用單條大容量內(nèi)存為佳，以避免這種情況的發(fā)生。
(3)主板與內(nèi)存的兼容性故障：
早期出產(chǎn)的nForce2芯片組主板，雖然性能卓越、功能齊全，但該主板在使用Kingmax品牌的某些型號(hào)內(nèi)存時(shí)，會(huì)出現(xiàn)死機(jī)、自動(dòng)重啟等故障現(xiàn)象。另外，某些品牌的主板雖安排有DIMM1、DIMM2、DIMM3共3個(gè)內(nèi)存插槽，可是，當(dāng)使用兩條同規(guī)格的內(nèi)存且分別插在DIMM1、DIMM2上之后，在安裝系統(tǒng)時(shí)會(huì)出現(xiàn)藍(lán)屏、死機(jī)現(xiàn)象，只有將內(nèi)存分別插入DIMM1、DIMM3問題才能解決。
上述這兩種情況，都是由內(nèi)存與主板的兼容性問題而引發(fā)的。前者是由于Kingmax內(nèi)存采用的Tiny BGA封裝形式，對主板的PGB設(shè)計(jì)及電氣性能要求較嚴(yán)格，而部分nForce2主板不太符合要求造成的。后者則純系主板設(shè)計(jì)存在問題。為了盡量消除這種兼容性問題，內(nèi)存和主板廠商在產(chǎn)品上市之前，都會(huì)做大量的兼容性測試工作。但是，由于電腦硬件產(chǎn)品數(shù)目繁多且更新速度奇快，它們之間仍然會(huì)存在兼容性問題的可能性，不過發(fā)生的幾率還是相當(dāng)小的。對于主板和內(nèi)存的兼容性問題，并無太好的解決方法。一般來說，也只有先嘗試升級(jí)最新版本的BIOS程序。如依然不能解決問題，則只能通過更換內(nèi)存或主板來解決了。
小知識(shí)
DDR內(nèi)存的指標(biāo)稱謂：
DDR內(nèi)存有兩種標(biāo)注方式，比如PC2100與DDR 266，其實(shí)兩者指的是同一種內(nèi)存指標(biāo)。所謂PC 2100 DDR是指峰值帶寬為2.1GB/s，而DDR 266是指內(nèi)存的工作頻率為266MHz，用公式266（MHz）×8（Byte）換算成帶寬則正好等于PC2100指標(biāo)，其余規(guī)格則依此類推。
DDR內(nèi)存在BIOS中的優(yōu)化設(shè)置：
目前在新型主板的BIOS中專門有DDR內(nèi)存的優(yōu)化設(shè)置選項(xiàng)，正確設(shè)置這些優(yōu)化參數(shù)，可以達(dá)到超頻和運(yùn)行穩(wěn)定的目的。如在采用Phoenix BIOS的主板中可嘗試手動(dòng)將內(nèi)存頻率對系統(tǒng)外頻的比值設(shè)定為120％，為了增加穩(wěn)定性和超頻的成功率，還可在“DDR Reference Voltage”的項(xiàng)目里，適當(dāng)?shù)靥岣?.1V或0.2V的DDR內(nèi)存電壓。
而采用Award BIOS的主板，如要讓DDR266內(nèi)存超頻到DDR333使用，可在BIOS的“Frequence Voltage Control”里手動(dòng)選擇選擇“3∶4”的頻率比值。同樣為保證穩(wěn)定性和超頻成功，還可在“Add Voltage”選項(xiàng)里手動(dòng)調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓。
內(nèi)存的邏輯“Bank”與物理“Bank”：
內(nèi)存數(shù)據(jù)是以“位”為單位寫入一個(gè)存儲(chǔ)矩陣列中，每個(gè)陣列單元被稱作CELL。因此，只要指定行列參數(shù)，便可準(zhǔn)確定位到某一個(gè)CELL，這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理，而這個(gè)陣列就稱為內(nèi)存芯片的邏輯“Bank”。主板上每個(gè)內(nèi)存插槽被分成兩段，就是說有兩個(gè)“Bank”。以SDRAM為例，CPU到DIMM槽的接口位寬是64bit，這樣CPU一次會(huì)向內(nèi)存發(fā)送或讀取64bit的數(shù)據(jù)，那么這樣—個(gè)64bit的數(shù)據(jù)集合，便被稱為一個(gè)物理“Bank”。
