大家都知道，英特爾在4月30日一口氣發(fā)布了32款新品處理器，這其中就包括了我們期待已久的十代酷睿桌面級(jí)處理器。作為新一代LGA 1200接口的首發(fā)型號(hào)，英特爾推出的十代酷睿依舊延續(xù)了之前的策略，大幅提升了新酷睿處理器的單核心性能，新技術(shù)的加持下的旗艦酷睿i9 10900K已經(jīng)達(dá)到了5.3GHz睿頻，而且核心也達(dá)到了10核心20線程。不僅如此，英特爾在入門級(jí)別的酷睿i3處理器上也加入了超線程技術(shù)，變成了4核心8線程，達(dá)到了與7代酷睿旗艦i7 7700K同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，而十代酷睿i5處理器則變成了6核心12線程，與八代旗艦酷睿i7 8700K相當(dāng)。

華碩ROG MAXIMUS XII EXTREME主板

因?yàn)楦铝诵碌牟宀郏@次必須要使用新主板來搭配。英特爾在前段時(shí)間以也發(fā)布了3個(gè)全新芯片組：Z490、B460以及H410，其中Z490芯片組主板已經(jīng)上市，定位旗艦，就像華碩ROG MAXIMUS XII EXTREME這樣，而B460以及H410目前還沒有上市。

除了在核心線程上做了升級(jí)，英特爾十代桌面級(jí)酷睿處理器還在頻率上還使用了一項(xiàng)新技術(shù)：THERMAL VELOCITY BOOST，這項(xiàng)技術(shù)讓處理器在核心溫度65℃內(nèi)提升頻率，旗艦酷睿i9 10900K達(dá)到了驚人的5.3GHz單核心頻率也全是因?yàn)檫@項(xiàng)黑科技，要注意的是只有首發(fā)的十代酷睿i9處理器才會(huì)搭載這項(xiàng)技術(shù)。

十代酷睿

而除了THERMAL VELOCITY BOOST外，英特爾引以為傲的睿頻技術(shù)也得到了升級(jí)，十代桌面級(jí)酷睿中的酷睿i7和酷睿i9處理器搭載了睿頻加速M(fèi)AX 3.0，英特爾睿頻加速技術(shù)本身可以讓處理器根據(jù)電腦實(shí)際運(yùn)行情況動(dòng)態(tài)地提升處理器頻率，而睿頻加速M(fèi)AX 3.0是睿頻技術(shù)的升級(jí)版，英特爾官方表示睿頻加速M(fèi)AX 技術(shù) 3.0則可讓處理器將單線程性能提升15%以上，因此十代酷睿i9處理器睿頻都達(dá)到了5.1GHz以上。

這次英特爾十代桌面級(jí)酷睿處理器在超頻方面做出了升級(jí)，在控制上功能上，支持單個(gè)核心單獨(dú)禁用、啟用超線程，還支持PEG、DMI超頻、增強(qiáng)了電壓、頻率曲線控制，這會(huì)讓你調(diào)節(jié)超頻選項(xiàng)升時(shí)更得心應(yīng)手，提高老白們的超頻效率。

英特爾酷睿i9 10900K

不過英特爾十代桌面級(jí)酷睿大幅提升頻率之后也會(huì)產(chǎn)生一個(gè)問題：散熱。為了保證處理器的散熱能在高負(fù)載時(shí)正常發(fā)揮性能，英特爾這次給十代酷睿使用了釬焊散熱技術(shù)外，還使用了薄芯片焊接散熱材料。薄芯片焊接散熱材料減少了芯片厚度，這讓可以讓釬焊層厚度增加，從而提高了散熱效率，但是要注意的是只有高端的英特爾十代桌面級(jí)酷睿i7、i9級(jí)別的處理器才會(huì)使用釬焊散熱，因?yàn)橹卸撕腿腴T的酷睿i3和酷睿i5不用擔(dān)心散熱的問題。

英特爾酷睿i9 10900K

我們拿到了媒體版的十代酷睿處理器，里面擁有一顆英特爾酷睿i9 10900K和一顆英特爾酷睿i5 10600K。

十代酷睿處理器

英特爾酷睿i9 10900K擁有10核心20線程，CPU主頻為3.7GHz，全核心睿頻為4.8GHz，最大睿頻為5.1GHz，通過THERMAL VELOCITY BOOST技術(shù)睿頻可以達(dá)到5.3GHz，熱設(shè)計(jì)功耗125W。

英特爾酷睿i9 10900K

英特爾酷睿i5 10600K擁有6核心12線程，CPU主頻為4.1GHz，全核心睿頻為4.5GHz，最大睿頻為4.8GHz，熱設(shè)計(jì)功耗125W。

英特爾酷睿i9 10600K

因?yàn)楦铝酸樐_，這次十代酷睿的防呆卡扣的位置都發(fā)生了變化，從上方換到了下方，大家裝機(jī)的時(shí)候要注意，但是信息仍舊是正刻，別大力出奇跡之后裝反了。

測(cè)試平臺(tái)

接下來我們開始進(jìn)行測(cè)試 首先介紹一下測(cè)試平臺(tái)：

測(cè)試平臺(tái)

主板使用了華碩ROG MAXIMUS XII EXTREME（簡(jiǎn)稱ROG M12E）主板，這款主板基于這次400系列的旗艦Z490芯片組打造，EXTREME也是華碩ROG系列中的旗艦型號(hào)，專門為信仰發(fā)燒游戲玩家打造。

ROG MAXIMUS XII EXTREME這次供電系統(tǒng)十分強(qiáng)大，總共擁有16相供電，PWM控制器使用了ASP14051是英飛凌IR35201的華碩定制版，MOSFET也是英飛凌出品的TDA21490，單相電流輸出高達(dá)90安培，意味著這款主板的總共點(diǎn)達(dá)到了驚人的1440安培，是目前頂級(jí)的主板供電方案。

為了保證16相供電能夠充分發(fā)揮威力，這次華碩在VRM散熱上下了很大功夫，ROG MAXIMUS XII EXTREME準(zhǔn)備了兩個(gè)超大散熱鰭片并且使用了U形熱管連接，散熱器鰭片下方也配備了高效能導(dǎo)熱貼來降低MOSFET的發(fā)熱。同時(shí)在供電接口上這款主板使用了ProCoolII高強(qiáng)度電源實(shí)心接口，還有金屬裝甲保護(hù)，保證了供電穩(wěn)定。

華碩ROG MAXIMUS XII EXTREME準(zhǔn)備了4根內(nèi)存插槽，最大支持128G，還搭載了華碩特有的OptiMemIII 第3代內(nèi)存優(yōu)化技術(shù)，OptiMemIII 第3代內(nèi)存優(yōu)化技術(shù)可以提高信號(hào)完整性，減少干擾信號(hào)，并且提高內(nèi)存兼容性和超頻空間，這次內(nèi)存在超頻后頻率可達(dá)DDR4 4800MHz+。

內(nèi)存插槽

華碩ROG MAXIMUS XII EXTREME內(nèi)存插槽旁邊是一個(gè)ROG DIMM.2插槽，在這款主板的配件里提供了一個(gè)DIMM.2轉(zhuǎn)接口，里面可以拓展額外兩個(gè)M.2插槽，不僅可以多享受到額外的存儲(chǔ)空間，這種立式的轉(zhuǎn)接設(shè)計(jì)也更利于M.2進(jìn)行散熱，從而保證高負(fù)載時(shí)的穩(wěn)定。

華碩ROG MAXIMUS XII EXTREME這次準(zhǔn)備了兩個(gè)PCIE長(zhǎng)插槽，均為X16模式，而且都裝備了金屬保護(hù)裝甲，防止顯卡插拔意外造成損壞。

顯卡插槽

因?yàn)檫@次華碩ROG MAXIMUS XII EXTREME擁有了8個(gè)SATA接口， 還有兩個(gè)M.2插槽隱藏在了散熱裝甲下方，算上DIMM.2模塊的兩個(gè)M.2插槽，這款主板總共擁有支持4個(gè)M.2接口。順便悄悄告訴大家一個(gè)小消息：雖然華碩未官方宣傳，但據(jù)了解，這款主板其實(shí)是支持PCIe 4.0的，接下來就等下一代U升級(jí)到位啦。

在I/O區(qū)域這款主板預(yù)裝了ROG一體化I/O背板，擁有防塵防靜電的效果，擁有2個(gè)USB 2.0接口，6個(gè)USB 3.2 Gen 1接口，2個(gè)USB 3.2 Gen 2接口，一個(gè)USB 3.2 Gen 2x2Type-C接口以及USB 3.2 Gen 2Type-C接扣，還用用于BIOS還原的快捷按鈕和最新的WIFI 6接口也都在這里

華碩ROG MAXIMUS XII EXTREME這次還特別在配件中準(zhǔn)備了雷電3擴(kuò)展卡，雷電3接口在外觀上和USB Type-C無(wú)異，支持正反插，非常方便，此外雷電三傳輸速率高達(dá)40Gbps，是USB3.1Gen 2（10Gb/s）的4倍，雷電3接口特點(diǎn)是一口多用、化繁為簡(jiǎn)，這讓M12E如虎添翼，為內(nèi)容創(chuàng)作以及多屏互聯(lián)等工作提供極大助力。

這次華碩ROG MAXIMUS XII EXTREME一個(gè)LiveDashOLED系統(tǒng)狀態(tài)顯示屏，2英寸大小，不僅可以監(jiān)控CPU溫度、頻率、風(fēng)扇轉(zhuǎn)速、故障診斷等信息，還支持顯示個(gè)性化的文字、圖片甚至動(dòng)圖。

華碩ROG MAXIMUS XII EXTREME在內(nèi)的ROG系列這次加入了AI智能優(yōu)化技術(shù)，可以看做上代的AI智能超頻升級(jí)加倍板，不僅包括了AI智能超頻還額外加入了AI智能散熱以及AI智能網(wǎng)絡(luò)。

AI智能超頻

AI智能超頻技術(shù)我們不陌生了，這項(xiàng)技術(shù)可以根據(jù)當(dāng)前平臺(tái)散熱系統(tǒng)、供電系統(tǒng)以及CPU提供合適的配置方案來超頻，并且通過機(jī)器學(xué)習(xí)推薦配置方案相關(guān)設(shè)置。