內(nèi)存延遲是指等待對系統(tǒng)內(nèi)存中存儲數(shù)據(jù)的訪問完成時(shí)引起的延期。根本問題在于處理器 (如英特爾®至強(qiáng)TM處理器) 的主頻接近4 GHz， 而內(nèi)存芯片速率僅為400 MHz (如DDR 3200內(nèi)存) —時(shí)鐘速度之比為10:1。因此，當(dāng)處理器需要處于內(nèi)存高速緩存之外的數(shù)據(jù)項(xiàng)時(shí)，每個(gè)周期必須等待10個(gè)時(shí)鐘周期才能使內(nèi)存芯片完成數(shù)據(jù)的提取和發(fā)送。通常，這些提取需要檢索多個(gè)內(nèi)存周期，然后需要更長時(shí)間通過到處理器的路徑。這就意味著提取數(shù)據(jù)會(huì)占用數(shù)百個(gè)處理器時(shí)鐘周期，在此期間應(yīng)用不能處理其它任何任務(wù)。

　　內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時(shí)間，它通常用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四個(gè)數(shù)中越往后值越大，這4個(gè)數(shù)字越小，表示內(nèi)存性能越好。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)組織認(rèn)為以現(xiàn)在的動(dòng)態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無法實(shí)現(xiàn)0或者1的延遲。但也并非延遲越小內(nèi)存性能越高，因?yàn)镃L-TRP-TRCD-TRAS這四個(gè)數(shù)值是配合使用的，相互影響的程度非常大，并且也不是數(shù)值最大時(shí)其性能也最差，那么更加合理的配比參數(shù)很重要。

　　第一個(gè)數(shù)字最為重要，表示注冊讀取命令到第一個(gè)輸出數(shù)據(jù)之間的延遲(CAS Latency)，即CL值，單位是時(shí)鐘周期。這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間。

　　第二個(gè)數(shù)字表示 內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間(RAS Precharge)，即tRP。指內(nèi)存從結(jié)束一個(gè)行訪問到重新開始的間隔時(shí)間。

　　第三個(gè)數(shù)字表示從內(nèi)存行地址到列地址的延遲時(shí)間(RAS to CAS Delay)，即tRCD。

　　第四個(gè)數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器激活時(shí)間Act-to-Precharge Precharge Delay(tRAS)。

　　選擇購買內(nèi)存時(shí)，最好選擇同樣CL設(shè)置的內(nèi)存，因?yàn)椴煌俣鹊膬?nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)以較慢的速度來運(yùn)行，也就是當(dāng)CL2.5和CL2的內(nèi)存同時(shí)插在主機(jī)內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)讓兩條內(nèi)存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費(fèi)。