現(xiàn)代內(nèi)存顆粒的編號(hào)也是由四段字母或數(shù)字組成，具體分布請(qǐng)看下圖。A、B四部分的含義與三星內(nèi)存顆粒編號(hào)的含義相同，分別表示該內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)企業(yè)及生產(chǎn)日期。C、D部分所包含的內(nèi)容主要是指內(nèi)存的相關(guān)規(guī)格。接下來我們就詳細(xì)分解。 
 

A部分不用多說，鐵定都是Hynix的LOGO。
B部分是生產(chǎn)日期，由三個(gè)數(shù)字和一個(gè)字母組成，和三星內(nèi)存顆粒的編號(hào)一樣，第一個(gè)數(shù)字表示生產(chǎn)年份，后兩位數(shù)字表示在該年的第XX周生產(chǎn)。最后的字母，由于在官方文件中沒有解釋，筆者也未弄明白。
C部分也是表示該內(nèi)存顆粒的頻率、延遲參數(shù)。由1-3位字母和數(shù)字共同組成。根據(jù)頻率、延遲參數(shù)不同，分別用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8個(gè)字母/數(shù)字組合來表示。

其中：
“D5”代表DDR500（250MHz），延遲為3-4-4；
“D43”代表DDR433（216MHz），延遲為3-3-3；
“D4”代表DDR400（200MHz），延遲為3-4-4；
“J”代表DDR333（166MHz），延遲為2.5-3-3；
“M”代表DDR266（133MHz），延遲為2-2-2；
“K”代表DDR266A（133MHz），延遲為2-3-3；
“H”代表DDR266B（133MHz），延遲為2.5-3-3；
“L”代表DDR200（100MHz），延遲為2-2-2。

補(bǔ)充：緊接這C部分的數(shù)字后面，實(shí)際上還有一個(gè)編號(hào)，只是這個(gè)編號(hào)一般并沒有被標(biāo)示出來。他用來表示內(nèi)存顆粒的工作溫度和應(yīng)用等級(jí)。用“Bank、I、E”來表示不同的工作溫度和應(yīng)用等級(jí)，其中：

“Blank”代表商業(yè)型，工作溫度在0 °C~70 °C之間；
“E”代表增強(qiáng)型，工作溫度在-25°C~85 °C之間；
“I”代表工業(yè)型，工作溫度在-40°C~85 °C之間。

總結(jié):
1． HY代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。 
2． 內(nèi)存芯片類型：（5D=DDR SDRAM） 
3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 
5． 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)：（4＝4顆芯片；8＝8顆芯片；16＝16顆芯片；32＝32顆芯片） 
6． 內(nèi)存bank（儲(chǔ)蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 
7． 接口類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 
8． 內(nèi)核代號(hào)：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 
10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 
11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 
12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素） 
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 
14． 工作溫度：（I=工業(yè)常溫（-40 - 85度）；E=擴(kuò)展溫度（-25 - 85度））