有個關(guān)于硬盤性能的說法由來已久：AMD平臺硬盤性能要比Intel平臺差。這個說法在添加了對NVMe固態(tài)硬盤原生支持的Ryzen平臺上依舊成立嗎？有外媒對此進行了測試，測試平臺為技嘉Aorus AX370-Gaming 5主板搭配Ryzen 7 1800X。

  測試的固態(tài)硬盤有兩款，分別是PCIE接口NVMe協(xié)議的三星960Evo和SATA接口AHCI協(xié)議的三星750Evo，二者都是TLC閃存固態(tài)硬盤中跑分較高的型號。

  首先是三星960Evo在AMD Ryzen與Intel平臺上的性能對比：無論是持續(xù)讀取還是隨機讀取性能Intel平臺表現(xiàn)都遠高于AMD Ryzen平臺。

  PC Mark 8存儲性能測試也驗證了這一點：AMD平臺下安裝三星NVMe驅(qū)動，PC Mark 8存儲測試評分5051，僅有NVMe固態(tài)硬盤的中等水平。

  而在Intel平臺上三星960Evo配以三星NVMe驅(qū)動可以跑出5082分的成績。外媒的測試中沒有驗證微軟默認NVMe驅(qū)動下的差異，也有可能是三星驅(qū)動僅對Intel平臺做了優(yōu)化。

  AMD銳龍的延遲還是比Intel要高，這是落后的主因。延遲是不能通過核心和線程數(shù)量來彌補的。對于固態(tài)硬盤其實也是一樣，持續(xù)讀寫帶寬可以比較容易的通過RAID來倍增，但延遲沒辦法通過簡單手段降低。

  用三星750Evo測試的SATA固態(tài)硬盤性能結(jié)果也與NVMe類似，Intel平臺有較為明顯的優(yōu)勢。不過這里由于Intel平臺使用了RST驅(qū)動，AMD平臺卻只能使用微軟Windows 10默認驅(qū)動，比較起來有所不公。

  總的來說，Ryzen平臺相比AMD過去主板的硬盤性能已有不小的提高，和Intel的差距不再像過去那樣明顯，家用使用體驗上不會有什么感覺。硬盤跑分除了和硬盤自身能力有關(guān)之外，提高CPU頻率也能在一定范圍內(nèi)提高跑分成績，而核心和線程數(shù)量對跑分的影響相對要小一些。