目前固態硬盤、內存以及U盤等存儲設備的大幅度漲價，影響著漲價這些存儲設備主要元件就是閃存顆粒，那么今天的話題主要圍繞著閃存顆粒來說。2D NAND和3D NAND閃存顆粒的區別？下面武林網來說說關于關于NAND閃存顆粒小知識以及2D NAND和3D NAND閃存顆粒的區別。

關于NAND閃存顆粒小知識

  閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單位，而不是以單個的字節為單位。

  根據用途和規格不同，閃存顆粒有很多不同的變種，今天我們主要討論的是用于固態硬盤等存儲設備中的、最為常用的NAND閃存顆粒。

  NAND閃存顆粒，是閃存家族的一員，最早由日立公司于1989年研制并推向市場，由于NAND閃存顆粒有著功耗更低、價格更低和性能更佳等諸多優點，成為了存儲行業最為重要的存儲原料。

  根據NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別。

  SLC（單層式存儲），單層電子結構，寫入數據時電壓變化區間小，壽命長，讀寫次數在10萬次以上，造價高，多用于企業級高端產品。

  MLC（多層式存儲），使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，壽命長，造價可接受，多用民用高端產品，讀寫次數在5000左右。

  TLC（三層式存儲），是MLC閃存延伸，TLC達到3bit/cell。存儲密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造價成本最低， 使命壽命低，讀寫次數在1000~2000左右，是當下主流廠商首選閃存顆粒。

  隨著時代發展，NAND閃存顆粒的技術突飛猛進，并且逐漸形成了幾大超大規模的專業閃存顆粒制造商，這些能夠直接切割晶圓和分離出NAND閃存顆粒的廠商，一般稱之為閃存顆粒原廠。

  它們分別是三星、東芝、閃迪、英特爾、SK海力士、美光等六家顆粒制造商，據統計它們六家的閃存產能幾乎占據了NAND閃存市場近9成的市場比重，幾乎所有的工藝的創造和升級，都是由這么幾家原廠所主導。