今年的繼任者驍龍835相比去年晚了一周時間，那么驍龍835有哪些值得期待的點呢?

　　高通驍龍835

　　①更先進的制程

　　高通官方宣稱驍龍835采用的是三星半導體最新的10nm制程工藝，三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%。

　　而根據半導體制程工藝的規律來看，10nm相比14/16nm更多的是平滑升級，10nm是半導體技術從14/16nm節點向7nm過渡的中間節點，7nm工藝會采用非常先進的EUV極紫外光刻技術，而10nm算是一個不太重要的節點，其實包括臺積電的10nm工藝也只面向移動端，所以采用臺積電代工工藝的廠商英偉達明年的GTX系列顯卡依然會是16nm工藝。

　　②更強的CPU

　　據傳言此次驍龍835采用8核心設計，彌補了驍龍820CPU多線程弱的缺點，而如果是八核設計，那驍龍835的單核性能注定不會特別強悍，至少不會超過蘋果A10芯片的單核性能，要不然功耗問題難以解決。

　　③更強的GPU

　　伴隨著VR時代的到來，VR對手機圖形處理能力的要求要比以往高得多，驍龍820搭載的Adreno 530GPU即使發布一年了性能依然強悍，在手機端的性能僅次于目前蘋果A10的GPU，而驍龍835上的新一代Adreno GPU無疑會更加強悍。

　　由于蘋果A10的GPU相比高通驍龍820/821上的Adreno 530領先幅度并不是太大，所以驍龍835的GPU性能超過蘋果A10基本是沒有問題的，何況A10還是16nm工藝，但由于iOS與安卓平臺的優化不同實際游戲表現就另說了。

　　④全新的圖形API：Vulkan

　　其實高通驍龍820/821就已經支持Vulkan這一革命性的API，只不過Vulkan的生態還不夠完善，所以除了三星曾經在S7 edge上演示過Vulkan游戲其他的筆者就沒啥印象了，真正讓Vulkan為大眾所知的是華為海思麒麟960芯片上的Mali G71GPU支持Vulkan。

　　之所以說Vulkan是革命性的，是因為它對GPU性能的釋放起到至關重要的作用，改善CPU對GPU性能的限制，使多核GPU真正發揮出應有的性能。

　　⑤更快的充電速度

　　高通同步發布新一代 QC4.0 快速充電技術。相比 QC 3.0 充電速度提升 20%，并支持 Type-C。能夠實現“充電 5 分鐘，通話五小時”。大約 15 分鐘內，可沖入 50% 的電量。另外，QC4.0 有更好的電源管理系統，能夠有效降低充電造成的電池損耗。

　　⑥深度學習的人工智能

　　驍龍820內置Zeroth神經處理引擎，能夠自動根據用戶拍攝的照片進行分類，相信驍龍835會更進一步，帶來更加實用的人工智能，畢竟如今包括谷歌在內的企業都在重視人工智能，人工智能在未來會顛覆很多現有的東西。

　　⑦更強的ISP/DSP

　　隨著雙攝手機的普及，預計驍龍835會對雙攝有更好的ISP支持方案，但具體如何實現只有等驍龍835真正發布時才知道了，而新一代的Hexagon DSP預計會帶來更好的待機表現。

　　⑧更快的基帶

　　筆者今年去過幾次高通的沙龍會，高通高管透露其下一代基帶是下行速率高達1Gbps的X16基帶，無疑好馬配好鞍，驍龍835會首次采用X16基帶。但在這里筆者要潑一下冷水，因為高通的客戶并不僅僅是手機廠商，還包括電信運營商，所以1Gbps下載速率的帶寬顯然不是為主流人群準備的，要想達到這么高的下載速率還需要運營商的支持，至少在中國，明年三大運營商肯定不會商用高達1Gbps下行速率的網絡，但不得不說高通的技術實力很強，雖然普通消費者用不到，但能夠做出這么牛的基帶就是一種能力，是技術實力的展現。

　　⑨更高的內存帶寬

　　據傳言驍龍835會率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運存，帶寬提升明顯。

　　驍龍835可能依然仍存在的不足：

　　①峰值性能的持續性問題

　　CPU發熱降頻一直是老生常談，目前在CPU領域對發熱降頻做得最好的是英特爾以及蘋果公司，英特爾的酷睿系列芯片以及蘋果的A系列芯片的峰值性能持續時間令人印象深刻，而反觀高通/海思/聯發科的芯片一發熱就降頻，導致性能下降，這一點在玩游戲時尤為明顯。功耗控制表現出色的驍龍820在峰值性能持續性上依然不如蘋果A9，所以驍龍835會有何改進值得期待。

　　②三星電子的產能是否能跟上

　　去年高通發布驍龍820之后在很長一段時間內的供貨一直很緊張，最直接的原因是由于量產初期產能還沒跟上，高通把大部分的產能都供給三星S7/S7 edge這兩款機器，導致國產廠商拿不到貨，而明年初這一問題可能依然會持續，不過到了2018年這一問題有望緩解，有傳言高通會在2018年的半導體7nm制程節點回歸臺積電代工陣營，而同期三星的全網通基帶也已成熟，所以高通與三星可能就此分道揚鑣，筆者預計三星Galaxy S9會全部采用自家Exynos系列芯片。

　　③驍龍835是否會像驍龍810出現過熱問題

　　至于驍龍835是否有一定幾率出現驍龍810過熱問題，筆者認為，10nm相較14/16nm的工藝進步不算是非常大，技術難度相對較小，7nm才是重要的節點，另外再加上高通已經對64位架構芯片駕輕就熟，所以綜合評估來看驍龍835不大可能會出現過熱問題。

　　另外值得關注的點：哪家手機廠商首發驍龍835其實并無意義

　　至于今年底或者明年初哪家手機廠商首發驍龍835，其實這更多的是象征意義，實際意義不大，因為明年驍龍835真正首批開始大規模供應的手機可能依然會是三星的S8系列，一方面，高通驍龍835是三星半導體代工的，另一方面，高通拋棄臺積電選擇三星作為芯片代工廠商也是有條件的，在三星還沒搞定全網通基帶的情況下依然會在有全網通需求的國家比如中國、美國市場采用高通芯片，在驍龍835芯片量產初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他廠商未必能拿到很多貨。

　　除了三星S8，目前已經確認還有明年初發布的小米6、OPPO Find 9也均將搭載驍龍835處理器。下面，我們主要簡單來分別介紹下驍龍835一些值得重點關注的特性部分。

　　10nm工藝QC4.0快充 三星S8首發驍龍835嗎?

　　近日，高通公司宣布將與三星電子合作共同開發下一代驍龍835處理器，最大特色是采用三星10納米制程工藝打造，同時支持Quick Charge 4.0快充技術。

　　三星S8或首發搭載高通驍龍835

　　高通方面表示，由于采用全新的10納米制程工藝，驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能，從而提升移動設備的用戶體驗。

　　據悉，今年10月份，三星就率先公布了10納米工藝的量產，與上代14納米工藝相比，10納米可以減少30%的芯片尺寸，同時提升27%的性能以及降低40%的功耗。

　　借助10納米工藝制程，高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸，讓OEM廠商可以進一步優化移動設備的機身內部結構，比如增加電池或是實現更輕薄的設計等等。此外，制程工藝的提升也會改善電池續航能力。

　　目前驍龍835已經投入生產，預計搭載驍龍835處理器的設備將會在2017年上半年陸續出貨。

　　除了驍龍835處理器之外，高通還正式發布了全新的Quick Charge 4.0快充技術，支持驍龍835處理器。QC 4.0將會在前幾代方案的基礎上繼續提升充電效率，官方稱充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對USB-C的支持，適配范圍更廣泛。

　　網友熱議：

　　麒麟960剛剛趕上高通821的性能，這還沒有兩個月，835又要出來了，你讓花粉情何以堪??

　　華為的麒麟面對驍龍就已經十分吃力了。這個835對于華為會是一個巨大的挑戰了。

　　高通驍龍835是幾核?高主頻重回八核

　　雖然八核心設計的驍龍810沒有獲得好評，四核心設計的驍龍820卻大獲成功。但在下一代驍龍835身上，高通又要重回八核心設計了。在曝光Helio X30/P35規格的同時，業內人士@草包科技還透露了驍龍835和驍龍660的具體規格，有興趣的不妨一看。

　　高通驍龍835是幾核?高主頻重回八核

　　具體來說，驍龍835將采用10nm八核心設計，大小核均為Kryo架構，大核心頻率3GHz，小核心頻率2.4GHz，GPU為Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝、QC4.0以及LPDDR4x四通道內存，整合了Cat.16基帶。

　　雖然高通表示搭載驍龍835的手機會在明年初上市，但@草包科技的表格顯示要到明年二季度才能看到驍龍835手機。

　　接著是驍龍660，同樣是八核心設計，不過工藝換成了14nm，架構為A73和A53組合，GPU為Adreno 512，支持2K屏。

　　其余規格還包括雙通道LPDDR4x內存、LTE Cat.10基帶，QC4.0、以及UFS 2.1等等。此外，搭載驍龍660的手機有望在明年第三季度和我們見面。

　　高通驍龍835基帶規格公布 搭載X16 LTE千兆基帶

　　高通今天在深圳舉辦技術會議，官方明確表示，下一代驍龍800處理器將搭載X16 LTE基帶。

　　其實X16 LTE首次公布在今年2月，它是全球首款移動平臺千兆Modem，用以取代驍龍820/821上的X12基帶。所謂的下一代驍龍800系列應該至少包括剛剛宣布的驍龍835芯片。

　　X16基帶支持Cat.16，下行速率可達1Gbps，也就是千兆，而X12為600Mbps(Cat.12 DL)，150Mbps(Cat.13 UL)。

　　當然，要達到理論峰值，需要支持4x20MHz CA、256-QAM和4×4MIMO，澳洲電信在9月份聯合高通和愛立信實測了979Mbps的下載和129Mbps的上傳。

　　關于驍龍835的其他特性，目前確定的還有三星10nm FinFET制程，性能提升27%等，外界認為這是一款8核Big.Little芯片，大核是Kryo 200，主頻逼近3GHz。