長江存儲發(fā)布最新閃存數(shù)據(jù)傳輸率高達1.6Gbps

2020-04-13 13:37:06

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來源：騰訊新聞《一線》

供稿：郭曉峰

4月13日，長江存儲今日宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號： X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。

長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。單顆容量高達1.33Tb 。

據(jù)了解，每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲容量。

如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當于提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

得益于Xtacking 架構對3D NAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化，長江存儲64層TLC產(chǎn)品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn)。在長江存儲128層系列產(chǎn)品中，Xtacking已全面升級至2.0，進一步釋放3D NAND閃存潛能。

在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率，為當前業(yè)界最高。

根據(jù)公開信息顯示，長江存儲64層TLC閃存的傳輸率已是目前傳統(tǒng)閃存的三倍左右，128層則意味著達到6倍。

據(jù)了解，128層QLC 版本將率先應用于消費級SSD，并逐步進入企業(yè)級服務器、數(shù)據(jù)中心等領域，以滿足未來5G、AI時代多元化數(shù)據(jù)存儲需求。

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