操作步驟:

　　什么是服務器內(nèi)存? 它與普通PC機上的內(nèi)存有什么區(qū)別?

　　答：服務器內(nèi)存也是內(nèi)存，它與我們平常在電腦城所見的普通PC機內(nèi)存在外觀和結(jié)構(gòu)上沒有什么明顯實質(zhì)性的區(qū)別，它主要是在內(nèi)存上引入了一些新的技術(shù)，普通PC機上的內(nèi)存在服務器上一般是不可用的服務器認不到的，這就是說服務器內(nèi)存不能隨便為了貪便宜用普通PC機的內(nèi)存來替代的原因了。

　　有些人把具有某種技術(shù)的內(nèi)存就稱之為“服務器內(nèi)存”，其實是不全面的，服務器的這些內(nèi)存技術(shù)之所以在目前看來是服務器在專用，但不能保證永遠只能是服務器專用。這些新技術(shù)之所以先在服務器上得以應用是因為服務器價格較貴，有條件得以應用，這些新技術(shù)由于價格的原因暫時在普通PC機上無法實現(xiàn)應用，但是會隨著配件價格的下降逐步走向普通PC機，就行原來的奇偶校正內(nèi)存一樣原先也是最先應用在服務器上，現(xiàn)在不是很普遍了嗎?所以服務器內(nèi)存并不是一種特指，它是內(nèi)存新技術(shù)在不同時間段上的應用。

　　什么是Buffer和Unbuffer的?

　　答：Buffer即緩存器，也可理解成高速緩存，在服務器及圖形工作站內(nèi)存有較多應用，容量多為64K，但隨著內(nèi)存容量的不斷增大，其容量也不斷增加，具有Buffer的內(nèi)存將對內(nèi)存的讀寫速度有較大提高，象早起168芯EDOECC服務器內(nèi)存大多都帶Buffer，Unbuffer表示不具有高速緩存。有Buffer的內(nèi)存幾乎都帶有ECC 功能，Unbuffer內(nèi)存只有少數(shù)帶 ECC功能。其在內(nèi)存編號上也有較明顯特征，以維京內(nèi)存PC133 128M為例，其編號為 ME16641U4SS-CL3，其中的字母U就代表Unbuffer。

　　什么是Register?

　　答：Register即寄存器或目錄寄存器，在內(nèi)存上的作用我們右以把它理解成書的目錄，有了它，當內(nèi)存接到讀寫指令時，會先檢索此目錄，然后再進行讀寫操作，這將大大提高服務器內(nèi)存工作效率。帶有Register的內(nèi)存一定帶Buffer,并且目前能見到的Register內(nèi)存也都具有ECC 功能，其主要應用在中高端服務器及圖形工作站，如IBM Netfinity 5000。

　　什么是ECC內(nèi)存?

　　答：目前是一談到服務器內(nèi)存，大家都一致強調(diào)要買ECC內(nèi)存，認為ECC內(nèi)存速度快，其實是一種錯誤地認識，ECC內(nèi)存成功之處并不是因為它速度快(速度方面根本不關(guān)它事只與內(nèi)存類型有關(guān))，而是因為它有特殊的糾錯能力，使服務器保持穩(wěn)定。ECC本身并不是一種內(nèi)存型號，也不是一種內(nèi)存專用技術(shù)，它是一種廣泛應用于各種領(lǐng)域的計算機指令中，是一種指令糾錯技術(shù)。它的英文全稱是“Error Checking and Correcting”，對應的中文名稱就叫做“錯誤檢查和糾正”，從這個名稱我們就可以看出它的主要功能就是“發(fā)現(xiàn)并糾正錯誤”，它比奇偶校正技術(shù)更先進的方面主要在于它不僅能發(fā)現(xiàn)錯誤，而且能糾正這些錯誤，這些錯誤糾正之后計算機才能正確執(zhí)行下面的任務，確保服務器的正常運行。之所以說它并不是一種內(nèi)存型號，那是因為并不是一種影響內(nèi)存結(jié)構(gòu)和存儲速度的技術(shù)，它可以應用到不同的內(nèi)存類型之中，就象我們在前面講到的“奇偶校正”內(nèi)存，它也不是一種內(nèi)存，最開始應用這種技術(shù)的是EDO內(nèi)存，現(xiàn)在的SD也有應用，而ECC內(nèi)存主要是從SD內(nèi)存開始得到廣泛應用，而新的DDR、RDRAM也有相應的應用，目前主流的ECC內(nèi)存其實是一種SD內(nèi)存。

　　什么是LRDIMM內(nèi)存?(Load-Reduced DIMM，低負載DIMM)

　　LRDIMM通過使用新的技術(shù)和較低的工作電壓，達到降低服務器內(nèi)存總線負載和功耗的目的，并讓服務器內(nèi)存總線可以達到更高的工作頻率并大幅提升內(nèi)存支持容量。

　　相對于通常的Unbuffered DIMM，服務器使用的Registered DIMM通過在內(nèi)存條上緩沖信號并重驅(qū)動內(nèi)存顆粒來提升內(nèi)存支持容量，而LRDIMM內(nèi)存通過將當前RDIMM內(nèi)存上的Register芯片改為一種iMB(isolation Memory Buffer)內(nèi)存隔離緩沖芯片來降低內(nèi)存總線的負載，并相應地進一步提升內(nèi)存支持容量。相比于通常的RDIMM，Dual-Rank LRDIMM內(nèi)存的功耗只有其50%，Quad-Rank LRDIMM也能低到其75%。

　　目前，典型的Nehalem-EP處理器可以支持3個內(nèi)存通道，每個內(nèi)存通道最多支持3個RDIMM，而改用LRDIMM內(nèi)存之后，同樣的系統(tǒng)可以每通道支持到9個DIMM，內(nèi)存容量提升到原來的三倍。