武林網(wǎng)訊    內(nèi)存（RAS）和上。當(dāng)前的標(biāo)準(zhǔn)是SDRAM（同步DRAM的縮寫），顧名思義，它是同步于系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的。SDRAM內(nèi)存訪問采用突發(fā)（burst）模式，它和原理是，SDRAM在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)制造的DRAM，大都可以「篩選」出時(shí)鐘頻率達(dá)到133MHz的PC133顆粒，可將尖峰數(shù)據(jù)傳輸率再次提高至1.06GB／sec，只要CPU及芯片組能配合，就可提高整體系統(tǒng)性能。此外，就DDR而言，由于其在時(shí)鐘上升和下降沿都能傳輸數(shù)據(jù)，所以在相同133MHz的時(shí)鐘頻率下，其尖峰數(shù)據(jù)傳輸將可大幅提高兩倍，達(dá)到2.1GB／sec的水準(zhǔn)，其性能甚至比現(xiàn)階段Rambus所能達(dá)到的1.6GB／sec更高。

      傳輸模式：傳統(tǒng)SDRAM采用并列數(shù)據(jù)傳輸方式，Rambus則采取了比較特別的串行傳輸方式。在串行的傳輸方式之下，資料信號(hào)都是一進(jìn)一出，可以把數(shù)據(jù)帶寬降為16bit，而且可大幅提高工作時(shí)鐘頻率（400MHz），但這也形成了模組在數(shù)據(jù)傳輸設(shè)計(jì)上的限制。也就是說，在串接的模式下，如果有其中一個(gè)模組損壞、或是形成斷路，便會(huì)使整個(gè)系統(tǒng)無法正常開機(jī)。因此，對(duì)采用Rambus內(nèi)存模組的主機(jī)板而言，便必須將三組內(nèi)存擴(kuò)充插槽完全插滿，如果Rambus模組不足的話，只有安裝不含RDRAM顆粒的中繼模組（ContinuityRIMMModule；C-RIMM），純粹用來提供信號(hào)的串接工作，讓數(shù)據(jù)的傳輸暢通。模組及PCB的設(shè)計(jì)：由于Rambus的工作頻率高達(dá)400MHz，所以不管是電路設(shè)計(jì)、線路布局、顆粒封裝及記憶模組的設(shè)計(jì)等，都和以往SDRAM大為不同。以模組設(shè)計(jì)而言，RDRAM所構(gòu)成的記憶模組稱之為RIMM（RambusInMemoryModule），目前的設(shè)計(jì)可采取4、6、8、12與16顆等不同數(shù)目的RDRAM顆粒來組成，雖然引腳數(shù)提高到了184只，但整個(gè)模組的長度卻與原有DIMM相當(dāng)。另外，在設(shè)計(jì)上，Rambus的每一個(gè)傳輸信道所能承載的芯片顆粒數(shù)目有限（最多32顆），從而造成RDRAM內(nèi)存模組容量將有所限制。也就是說，如果已經(jīng)安裝了一只含16顆RDARM顆粒的RIMM模組時(shí)，若想要再擴(kuò)充內(nèi)存，最多只能再安裝具有16顆RDARM的模組。另外，由于RDARM在高頻下工作將產(chǎn)生高溫，所以RIMM模組在設(shè)計(jì)時(shí)必須加上一層散熱片，也增加了RIMM模組的成本。

            顆粒的封裝：DRAM封裝技術(shù)從最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。從現(xiàn)在主流SDRAM的模組來看，除了勝創(chuàng)科技首創(chuàng)的TinyBGA技術(shù)和樵風(fēng)科技首創(chuàng)的BLP封裝模式外，絕大多數(shù)還是采用TSOP的封裝技術(shù)。隨著DDR、RDRAM的陸續(xù)推出，將內(nèi)存頻率提高到一個(gè)更高的水平上，TSOP封裝技術(shù)漸漸有些力不從心了，難以滿足DRAM設(shè)計(jì)上的要求。從Intel力推的RDRAM來看，采用了新一代的μBGA封裝形式，相信未來DDR等其他高速DRAM的封裝也會(huì)采取相同或不同的BGA封裝方式。盡管RDRAM在時(shí)鐘頻率上有了突破性的進(jìn)展，有效地提高了整個(gè)系統(tǒng)性能，但畢竟在實(shí)際使用上，其規(guī)格與現(xiàn)階段主流的SDRAM有很大的差異，不僅不兼容于現(xiàn)有系統(tǒng)芯片組而成了Intel一家獨(dú)攬的局面。甚至在DRAM模組的設(shè)計(jì)上，不僅使用了最新一代的BGA封裝方式，甚至在電路板的設(shè)計(jì)上，都采取用了8層板的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，更不用說在測試設(shè)備上的龐大投資。使得大多數(shù)的DRAM及模組廠商不敢貿(mào)然跟進(jìn)。
再說，由于Rambus是個(gè)專利標(biāo)準(zhǔn)，想生產(chǎn)RDRAM的廠商必須先取得Rambus公司的認(rèn)證，并支付高額的專利費(fèi)用。不僅加重了各DRAM廠商的成本負(fù)擔(dān)，而且它們擔(dān)心在制定未來新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)時(shí)會(huì)失去原來掌握的規(guī)格控制能力。
由于RIMM模組的顆粒最多只能為32顆，限制了Rambus應(yīng)用，只能用在入門級(jí)服務(wù)器和高級(jí)PC上。或許就PC133而言，在性能上無法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技術(shù)后，其數(shù)據(jù)帶寬可達(dá)到2.1GB／sec，不僅領(lǐng)先Rambus所能達(dá)到的1.6GB／sec標(biāo)準(zhǔn)，而且由于其開放的標(biāo)準(zhǔn)及在兼容性上遠(yuǎn)比Rambus高的原故，估計(jì)將會(huì)對(duì)Rambus造成非常大的殺傷力。更何況臺(tái)灣在威盛與AMD等聯(lián)盟的強(qiáng)力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼風(fēng)喚雨，也成了未知數(shù)。至少，在低價(jià)PC及網(wǎng)絡(luò)PC方面，Rambus的市場將會(huì)很小。

結(jié)論：盡管Intel采取了種種不同的策略布局及對(duì)策，要想挽回Rambus的氣勢，但畢竟像Rambus這種具有突破性規(guī)格的產(chǎn)品，在先天上便存在有著諸多較難克服的問題。或許Intel可以藉由更改主機(jī)板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM與RDRAM共同存在的過渡性方案（S-RIMM、RIMMRiser）等方式來解決技術(shù)面上的問題。但一旦涉及規(guī)模量產(chǎn)成本的控制問題時(shí)，便不是Intel所能一家獨(dú)攬的，更何況在網(wǎng)絡(luò)趨勢下的計(jì)算機(jī)應(yīng)用將愈來愈趨于低價(jià)化，市場需求面是否對(duì)Rambus有興趣，則仍有待考驗(yàn)。 在供給方面，從NEC獨(dú)創(chuàng)的VCMSDRAM規(guī)格（VirtualChannelMemory）、以及Samsung等DRAM大廠對(duì)Rambus支持態(tài)度已趨保守的情況來看，再加上相關(guān)封裝及測試等設(shè)備上的投資不足，估計(jì)年底之前，Rambus內(nèi)存模組仍將缺乏與PC133甚至DDR的價(jià)格競爭力。就長遠(yuǎn)的眼光來看，Rambus架構(gòu)或許可以成為主流，但應(yīng)不再會(huì)是主導(dǎo)市場的絕對(duì)主流，而SDRAM架構(gòu)（PC133、DDR）在低成本的優(yōu)勢，以及廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，應(yīng)該會(huì)有非常不錯(cuò)的表現(xiàn)。相信未來的DRAM市場，將會(huì)是多種結(jié)構(gòu)并存的局面。

         具最新消息，可望成為下一世代內(nèi)存主力的RambusDRAM因芯片組延遲推出，而氣勢稍挫的情況之下，由全球多家半導(dǎo)體與電腦大廠針對(duì)DDRSDRAM的標(biāo)準(zhǔn)化，而共同組成的AMII（AdvancedMemoryInternationalInc、）陣營，則決定積極促進(jìn)比PC200、PC266速度提高10倍以上的PC1600與PC2100DDRSDRAM規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)化，此舉使得RambusDRAM與DDRSDRAM的內(nèi)存主導(dǎo)權(quán)之爭，邁入新的局面。全球第二大微處理器制造商AMD，決定其Athlon處理器將采用PC266規(guī)格的DDRSDRAM，而且決定在今年年中之前，開發(fā)支持DDRSDRAM的芯片組，這使DDRSDRAM陣營深受鼓舞。全球內(nèi)存業(yè)者極有可能將未來投資的重心，由RambusDRAM轉(zhuǎn)向DDRSDRAM。
綜上所述，今年DDRSDRAM的發(fā)展勢頭要超過RAMBUS。而且DDRSDRAM的生產(chǎn)成本只有SDRAM的1.3倍，在生產(chǎn)成本上更具優(yōu)勢。未來除了DDR和RAMBUS外還有其他幾種有希望的內(nèi)存產(chǎn)品，下面介紹其中的幾種：SLDRAM(SyncLinkDRAM,同步鏈接內(nèi)存)：SLDRAM也許是在速度上最接近RDRAM的競爭者。SLDRAM是一種增強(qiáng)和擴(kuò)展的SDRAM架構(gòu)，它將當(dāng)前的4體（Bank）結(jié)構(gòu)擴(kuò)展到16體，并增加了新接口和控制邏輯電路。

          SLDRAM像SDRAM一樣使用每個(gè)脈沖沿傳輸數(shù)據(jù)。
VirtualChannelDRAM：VirtualChannel“虛擬信道”是加裝在內(nèi)存單元與主控芯片上的內(nèi)存控制部分之間，相當(dāng)于緩存的一類寄存器。使用VC技術(shù)后，當(dāng)外部對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀寫操作時(shí)，將不再直接對(duì)內(nèi)存芯片中的各個(gè)單元進(jìn)行讀寫操作，而改由VC代理。VC本身所具有的緩存效果也不容小覷，當(dāng)內(nèi)存芯片容量為目前最常見的64Mbit時(shí)，VC與內(nèi)存單元之間的帶寬已達(dá)1024bit。即便不考慮前/后臺(tái)并列處理所帶來的速度提升，光是“先把數(shù)據(jù)從內(nèi)存單元中移動(dòng)到高速的VC中后再由外部進(jìn)行讀寫”這一基本構(gòu)造本身就很適于提高內(nèi)存的整體速度。每塊內(nèi)存芯片中都可以搭載復(fù)數(shù)的VC，64Mbit的產(chǎn)品中VC總數(shù)為16個(gè)。不但每個(gè)VC均可以分別對(duì)應(yīng)不同的內(nèi)存主控設(shè)備（MemoryMaster，此處指CPU、南橋芯片、各種擴(kuò)展卡等等），而且在必要時(shí)，還可以把多個(gè)VC信道捆綁在一起以對(duì)應(yīng)某個(gè)占用帶寬特別大的內(nèi)存主控設(shè)備。因此，在多任務(wù)同時(shí)執(zhí)行的情況下，VC-SDRAM也能保證持續(xù)地進(jìn)行高效率的數(shù)據(jù)傳輸。VC-SDRAM還有一個(gè)特點(diǎn)，就是保持了與傳統(tǒng)型SDRAM的管腳兼容，廠家不需要重新進(jìn)行主板布線設(shè)計(jì)就能夠使主板支持它。不過由于它與傳統(tǒng)型SDRAM控制方式不同，因此還需要得到控制芯片組的支持方能使用，目前已支持VC-SDRAM的芯片組有VIA的ApolloPro133系列、ApolloMVP4和SiS的SiS630等。