我于一年半前攢了臺(tái)“愛機(jī)”,因當(dāng)時(shí)資金有限,選擇了價(jià)格較為低廉的基于威盛VIA Apollo Pro Plus芯片組的技嘉GA-6VXE主板,磁盤和內(nèi)存性能受VIA芯片組的制約,相對(duì)同級(jí)的Intel BX芯片組就存在著一定差距。秉著DIY的精神,在后來的實(shí)踐中,總結(jié)出一套有效的內(nèi)存優(yōu)化方法,使用這套方法在SiSoft Sandra的Memory BenchMark中的得分居然提高了將近一倍,像ALU這個(gè)項(xiàng)目優(yōu)化前為116MB/s,優(yōu)化后則達(dá)到了246MB/s,效果很明顯。雖說還不能和現(xiàn)在的新型主板相提并論,但至少在原來基礎(chǔ)上有不少提高,真是令人驚喜不已。下面就讓我來把這套優(yōu)化方法告訴大家。
圖1
這張圖是在沒有經(jīng)過優(yōu)化時(shí)的測試結(jié)果(見圖1)大家可以通過對(duì)比了解到優(yōu)化后的好處。
圖2
首先從內(nèi)存的工作頻率下手,我的主板具備內(nèi)存異步的功能,因此我把內(nèi)存的工作頻率由原來的66MHz調(diào)整到100MHz,用軟件測試發(fā)現(xiàn)得分提升了不少,畢竟是從66MHz變成100MHz了。然后又對(duì)內(nèi)存的CL值進(jìn)行調(diào)整,我們常說CAS、CL之類的術(shù)語,其實(shí)都是決定內(nèi)存速度的。與內(nèi)存的工作頻率以及相關(guān)的有三個(gè)選項(xiàng):CAS Latency、RAS to CAS Delay和RAS Precharge Time。這其中對(duì)性能影響最大的當(dāng)屬CAS Latency,也就是常說的CL。其實(shí)有時(shí)候也說CAS=2或者CAS=3,指的都是CL。內(nèi)存在存儲(chǔ)信息時(shí)就像一個(gè)大表格一樣,通過行(Column)和列(Row)來為所有存儲(chǔ)在內(nèi)存里的信息定位,CL就是指要多少個(gè)時(shí)鐘周期后才能找到相應(yīng)的位置。因此CL值越小性能越好。我們將“SDRAM CAS Latency”(也有些主板上這個(gè)選項(xiàng)寫的是“SDRAM CYCLE LENGTH”,作用是一樣的)的值由“3”改為“2”。測試結(jié)果見圖2。
圖3
4路交錯(cuò)式運(yùn)行是早期應(yīng)用在高端主板市場,并用來提升內(nèi)存性能的一種技術(shù)。它能提供更多的傳輸管道、更高的內(nèi)存頻寬,使內(nèi)存在同一時(shí)間內(nèi)能同時(shí)進(jìn)行多個(gè)寫/讀的工作,可以有效地提升整體系統(tǒng)性能。在以前,我們?yōu)榱舜蜷_這項(xiàng)功能需要使用一款名叫“WPCREdit”的軟件,操作起來特別復(fù)雜,讓人很煩。現(xiàn)在可好了!一位DIY高手為大家開發(fā)了一款專門的內(nèi)存交錯(cuò)運(yùn)行管理工具,從此操作簡單到只需要執(zhí)行一個(gè).bat文件就可以了(可以到www.mydrivers.com下載,文件名是MemoryEnable.ZIP)。通過打開“Interleaving交錯(cuò)式運(yùn)行”會(huì)產(chǎn)生很好的效果。我們可以通過軟件觀察是否調(diào)整成功(見圖3),測試結(jié)果見圖4。
圖4
有些主板上還提供了對(duì)內(nèi)存的速度進(jìn)行分別調(diào)整的選項(xiàng):BANK 0/1(還有2/3和4/5兩種,一共三個(gè)選項(xiàng))DRAM TIMING。在主板的說明書上寫得一般都比較保守,諸如“我們不建議用戶自行更改此設(shè)定……”或類似的字樣。但實(shí)際上我們完全可以將其調(diào)整到性能優(yōu)先的方式,不過這對(duì)內(nèi)存的要求比較高,部分品質(zhì)不佳的內(nèi)存在調(diào)整之后會(huì)出現(xiàn)死機(jī)、不穩(wěn)定等現(xiàn)象。如果出現(xiàn)這些情況,只要改回來就OK了。此選項(xiàng)一共有以下幾種可選項(xiàng):SDRAM 8/10ns,Normal,Medium,F(xiàn)ast和Turbo。從字面上來理解,當(dāng)然是Turbo最快了,內(nèi)存性能不高的朋友如果有耐心,可以逐一試試尋找出最優(yōu)狀態(tài)。現(xiàn)在我們將這三個(gè)相關(guān)選項(xiàng)統(tǒng)統(tǒng)調(diào)整到“Turbo”試試:測試結(jié)果見圖5,Memory BenchMark中的得分又有不少提高。
圖5
可以看到在經(jīng)過完全優(yōu)化后,內(nèi)存的性能得到了質(zhì)的飛躍,在對(duì)內(nèi)存?zhèn)鬏斅室蠛芨叩膽?yīng)用中會(huì)感覺到比較明顯的性能提升。這樣不花錢的好事,大家還不快行動(dòng)
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