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認(rèn)識(shí)內(nèi)存編號(hào)含義

HYNIX DDR SDRAM顆粒編號(hào)：


HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14



整個(gè)DDR SDRAM顆粒的編號(hào)，一共是由14組數(shù)字或字母組成，他們分別代表內(nèi)存的一個(gè)重要參數(shù)，了解了他們，就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。

顆粒編號(hào)解釋如下：

1． HY是HYNIX的簡(jiǎn)稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。

2． 內(nèi)存芯片類型：（5D=DDR SDRAM）

3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)：（4＝4顆芯片；8＝8顆芯片；16＝16顆芯片；32＝32顆芯片）

6． 內(nèi)存bank（儲(chǔ)蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 內(nèi)核代號(hào)：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10．       封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11．       封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12．       封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）

13．       速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14．       工作溫度：（I=工業(yè)常溫（-40 - 85度）；E=擴(kuò)展溫度（-25 - 85度））

由上面14條注解，我們不難發(fā)現(xiàn)，其實(shí)最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數(shù)字的實(shí)際含義，就能輕松實(shí)現(xiàn)對(duì)使用現(xiàn)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品進(jìn)行辨別。尤其是第13位數(shù)字，它將明確的告訴消費(fèi)者，這款內(nèi)存實(shí)際的最高工作狀態(tài)是多少。假如，消費(fèi)者買到一款這里顯示為L(zhǎng)的產(chǎn)品（也就是說(shuō)，它只支持DDR 200的工作頻率），那么就算內(nèi)存條上貼的標(biāo)簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產(chǎn)品。

常見(jiàn)SDRAM 編號(hào)識(shí)別

維修SDRAM內(nèi)存條時(shí)，首先要明白內(nèi)存芯片編號(hào)的含義，在其編號(hào)中包括以下幾個(gè)內(nèi)容：廠商名稱（代號(hào)）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標(biāo)志等。通過(guò)對(duì)這些參數(shù)的分析比較，就可以正確認(rèn)識(shí)和理解該內(nèi)存條的規(guī)格以及特點(diǎn)。
(1)世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商的前綴標(biāo)志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現(xiàn)代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創(chuàng)
(2)內(nèi)存芯片速度編號(hào)解釋如下:
★ -7 標(biāo)記的SDRAM 符合 PC143 規(guī)范,速度為7ns.
★ –75標(biāo)記的SDRAM 符合PC133規(guī)范,速度為7.5ns.
★ –8標(biāo)記的SDRAM 符合PC125規(guī)范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標(biāo)記的SDRAM 符合PC100規(guī)范,速度為10ns.
★ –10K標(biāo)記的SDRAM符合PC66規(guī)范,速度為15ns.
(3) 編 號(hào) 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號(hào)，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ



　全球主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠家(掌握內(nèi)存芯片生產(chǎn)技術(shù)的廠家主要分布在美國(guó)、韓國(guó)、日本、德國(guó)、臺(tái)灣)：

序號(hào)   品牌     國(guó)家/地區(qū)     標(biāo)識(shí)       備注
1     三星       韓國(guó)     SAMSUNG   
2     現(xiàn)代       韓國(guó)       HY   
3     樂(lè)金       韓國(guó)       LGS         已與HY合并
4     邁克龍     美國(guó)       MT   
5     德州儀器   美國(guó)       Ti       已與Micron合并
6     日電       日本       NEC   
7     日立       日本     HITACHI   
8     沖電氣     日本       OKI   
9     東芝       日本     TOSHIBA   
10     富士通     日本       F   
11     西門子     德國(guó)     SIEMENS   
12     聯(lián)華       臺(tái)灣       UMC   
13     南亞       臺(tái)灣       NANYA   
14     茂矽       臺(tái)灣       MOSEI