伺候了Haswell-E和Broadwell-E兩代處理器之后，在Intel發(fā)燒級平臺扛了三年的X99主板終于退役，繼任者X299芯片組的到來伴隨著整個CPU產品線的重塑，無論你原本是否屬于HEDT平臺的用戶，都有必要通過此文來了解它們新的規(guī)格與特性。

Intel在22nm工藝下率先采用了3D-Tri Gate晶體管架構，它使用一個超薄的三維硅片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極，晶體管可以更加緊密地排列在一起，大幅提高了密度。具體晦澀的技術原理這里不贅述，總之這樣可以使同樣電壓下獲得37%的性能提升。反過來，相同性能下功耗可以下降50%。

Intel在14nm制程的Tri-Gage架構上撞了南墻

然而有得即有失，多了一個維度的晶體管通過激光蝕刻成型難度也成幾何級增加。當Intel將3D-Tri Gate架構應用到14nm工藝時，晶體管柵極間距縮小到70nm，這個縮減與32nm到22nm的縮減幅度不相上下，導致晶體管漏電率大幅上升，晶圓良率下降。具體表現(xiàn)在CPU上的特征就是高頻率穩(wěn)定性差，發(fā)熱畸高，用過第六代與第七代i7的玩家一定深有體會。

X299芯片組PCH的規(guī)格與X99相比幾乎沒什么變化，后者可視作體質改良版

制程的進步必須建立在上一代工藝成熟的技術上，原路線圖中的10nm工藝被迫延期，Intel臨時增加了一代繼續(xù)采用14nm工藝的Kabylake內核，通過三代CPU產品來完善14nm。

慶幸的是，在經(jīng)歷好一番折騰之后，X299平臺終于為我們送來了14nm的完全體：Skylake-X。

傳說中的i9登場

X299平臺的處理器接口為LGA2066，比X99平臺的LGA2011增加了55個針腳。很久之前人們就在談論Intel是否應該對發(fā)燒級平臺的CPU采用"i9"的命名，便于區(qū)分主流性能級平臺上的i7，如今這個設想化為現(xiàn)實：見下圖

藍框標注的為本次評測的CPU實物，令人詫異的是i5竟然也登陸了X299平臺

從今往后擁有10C/20T及以上規(guī)格的CPU都被命名為i9，上一代的i7 6950X是第一款也是最后一款10C/20T的i7，在X299平臺上與之對應的是i9 7900X。 

憑借第二代3D Tri-Gate晶體管和完善的14nm工藝，Intel處理器核心規(guī)格呈爆炸式增長，這一代的旗艦產品i9 7980XE竟然擁有18C/36T，比上一代旗艦幾乎增加一倍，這在歷史上都是絕無僅有的。憑此一點我們也有理由相信14nm已經(jīng)相當成熟。

遺憾的是本次首發(fā)評測小編無緣為大家展示i9的風采，第一時間能拿到的CPU實物只有定位倒數(shù)第二的i7 7740X，不過從大眾消費的角度來講，它比旗艦更有看頭。

7740X與6800K正面對比

7740X與6800K針腳對比

7740X與7700K正面對比

7740X與7700K針腳對比

如此碩大的體型，如此多的針腳，又移除了核芯顯卡，i7 7740X依然是雙通道，16條用于顯卡的PCI-E總線，這讓人有些摸不著頭腦。不過大幅增加的導熱面積可以讓人對超頻和散熱有所期待。

X299主板比X99有何不同？

本次測試平臺為技嘉AORUS X299-GAMING 7主板。

標準ATX板型

LGA2066接口的散熱器扣具與X99的LGA2011通用

5條完整規(guī)格的PCI-E插槽

上i7-7740X與i5 7640X時，雙通道模式只使用右邊一側的內存插槽

X299的PCH芯片組特寫，芯片尺寸與Z270差不多大小