大家都知道，U盤主要由主控芯片和flash芯片組成，所以影響U盤速度的因素也就分為主控芯片和flash芯片兩方面。本文就為大家分析影響U盤讀寫速度不同的幾大因素，希望對大家有所幫助！

 　　速度達到80MB/s的USB3.0優(yōu)盤

　　速度達到160MB/s的優(yōu)盤

　　速度達到220MB/s以上的優(yōu)盤

　　光從這些測試結(jié)果來看，差距確實是相當明顯的。當然，不同優(yōu)盤廠商的實力會對產(chǎn)品品質(zhì)產(chǎn)生一定影響，但這并不是關(guān)鍵因素。這些產(chǎn)品之間產(chǎn)生的速度差關(guān)鍵還在于主控與芯片。不同的芯片穩(wěn)定性、速度不一樣，而不同的主控也決定著優(yōu)盤的兼容性、速度以及是否實現(xiàn)量產(chǎn)等等問題。今天我們就一起來聊聊這兩個大問題。

　　原因一：Flash芯片速度差別大

　　首先，就芯片問題來說，目前市場上存在著SLC、MLC以及TLC三種。SLC芯片優(yōu)盤在速度上有明顯的優(yōu)勢，充分顯示了SLC芯片的強大性能。SLC芯片在載入速度以及數(shù)據(jù)傳輸速度上有著強大的優(yōu)勢，在能耗上SLC也要低于MLC。此外，由于SLC芯片可以保證十萬次左右的穩(wěn)定存取，因此它有著更長久的使用壽命。

　　MLC架構(gòu)可以一次儲存4個以上的值，因此MLC架構(gòu)的儲存密度較高，并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來提高產(chǎn)品的容量，無須額外投資生產(chǎn)設備，擁有成本與良率的優(yōu)勢。與SLC相比較，MLC生產(chǎn)成本較低，容量大。

　　SLC與MLC參數(shù)對比

　　TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，TLC架構(gòu)正式問世后，1個存儲器儲存單元可存放3位元，成本進一步大幅降低。在TLC成功推廣的道路上，閃存大廠東芝與三星可是立下汗馬功勞，使得整個TLC技術(shù)大量被量產(chǎn)且應用在終端產(chǎn)品上。TLC芯片雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但因為效能也大打折扣，因此僅能用在低階的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。

　　SLC、MLC、TLC對比

　　從上面的介紹中，我們看到SLC、MLC與TLC技術(shù)的優(yōu)劣之處在哪，也可以得出這樣一個結(jié)論：MLC是今后NAND Flash的發(fā)展趨勢，就像CPU單核心、雙核心、四核心一樣，MLC技術(shù)通過每Cell存儲更多的bit來實現(xiàn)容量上的成倍跨越，直至更先進的架構(gòu)問世。SLC的成本傷不起，TLC則更有可能引起數(shù)據(jù)的安全隱患，所以選擇MLC的優(yōu)盤更靠譜。